第13章光刻气相成膜到软烘.pptVIP

4 旋涂胶 光刻胶是一种有机化合物，受到紫外光曝光后,在显影溶液中溶解度发生变化． 目前最常用的正性光刻胶主要包括 聚合物∶(基本体材)被光源曝光时、聚合物结构由可溶变成聚合(或反之) 感光剂∶在曝光过程中控制或调节光刻胶的化学反应 溶剂∶稀释光刻胶 不同的光源对应不同成分的光刻胶 光刻胶的作用 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。 2.在后续工艺（如刻蚀或离子注入阻挡层）中，保护下面的材料。 光刻胶是昂贵的材料，1加仑2000~5000美元 (一加仑=3.785L(美)) * 半导体制造技术 * 正性光刻胶 * 半导体制造技术 * 负性光刻胶 掩膜板与光刻胶(正胶/负胶)之间的关系 正负光刻胶 负性光刻胶在曝光后硬化变得不可溶解，显影后图像与原先掩膜版的图形相反。 正性光刻胶曝光时软化，变得可溶，显影后图像与原先掩膜版图形一样。 负性光刻胶通常只有2um 的分辨率。 正性光刻胶的粘附性较差。 * 半导体制造技术 * 正胶/负胶的性能比较 参数 负胶 正胶 化学安定性 安定 稍微不安定(对比负胶) 敏感度 比较高 比较低 解像度 比较低 比较高 氧化的影响 大 小 涂布厚度 由于解像度的原因→薄 可以涂布的比较厚 台阶覆盖 不充分 充分 光刻胶的除去 比较困难 容易 耐湿法刻蚀 良好 不足 耐干法刻蚀 有点不足 良好 和SiO2的密着性 良好 不足 光刻胶的物理特性－1 分辨率－区别硅片表面上两个或更多的邻近特征图形的能力。 对比度－光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 敏感性－硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需要的一定波长光的最小能量值(mJ/cm2)。提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。 粘滞性－指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。粘滞性增加，光刻胶流动的趋势变小。粘度单位泊(poise)。 * 半导体制造技术 * 光刻胶的物理特性－2 粘附性－描述光刻胶粘于衬底的强度。 抗蚀性－在后续的蚀刻中保护衬底表面的能力。 表面张力－液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。 存储和传送－需规定光刻胶闲置期限和存储温度环境。 沾污和颗粒－光刻胶材料的纯度很重要。控制可动离子沾污和颗粒。 * 半导体制造技术 * 传统的I线光刻胶 光学微光刻的传统I线光刻胶是那些适用于I线紫外波长（365nm）光刻胶，对应于关键尺寸在0.35um以上的非关键层的光刻都适用，这种情况包括负胶和正胶。（注意I线光刻胶的特性也同时代表了G线（436nm）和H线（405nm）波长所用的光刻胶的基本特性） * 半导体制造技术 * I线光刻胶的成分 树脂 光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。树脂给予了光刻胶机械和化学性质 感光剂 光敏成分，它对光形式的辐射能，特别在紫外区，会发生反应 溶剂 保持光刻胶的液体状态，并对其光化学性质几乎没有影响 * 半导体制造技术 * 负性 I 线光刻胶聚异戊二烯聚合物 * 半导体制造技术 * 正性 I 线光刻胶线性酚醛树脂 光敏化合物 感光剂 半导体制造技术 第13章光刻：气相成膜到软烘 半导体制造技术 第13章光刻：气相成膜到软烘 第一章 半导体产业介绍 * 集成电路工艺 * 第13章光刻：气相成膜到软烘 reporter：JINJIN 目标 解释光刻的基本概念，包括工艺概述、关键尺寸划分、光谱、分辨率、工艺容宽等。 负性和正性光刻的区别 描述光刻的8个基本步骤 如何在光刻前处理硅片表面 描述光刻胶并讨论其物理特性 如何使用光刻胶 软烘的目的 * 半导体制造技术 * 主要内容 1.基本概念 2.光刻工艺 3.气相成底膜处理 4.旋涂胶 5.软烘 6.光刻胶质量测量 * 半导体制造技术 * 1.基本概念 光刻使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形。 光刻——图形转移的任一复制过程。 光刻成本占加工成本的三分之一。 光刻胶（photoresist） 掩膜版（photomask /reticle） * 半导体制造技术 * 关键尺寸 关键尺寸－所需达到的最小尺寸，最难控制的尺寸。 常用来描述工艺技术的节点或称为某一代。 减少关键尺寸可在单个硅片上布局更多芯片，可降低制造成本，提高利润。 * 半导体制造技术 * 光谱 对于光刻曝光的重要UV波长 UV波