第2章电力电子新器件.pptVIP

2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的优点可以总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。 ?电压电流容量大。 ?驱动电流比较小，驱动电路简单。 College of Electrical Engineering and Automation * 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零 时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间 无电流流过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 √UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 College of Electrical Engineering and Automation * 2.4.3 电力场效应晶体管 几点说明： ?通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 ?MOSFET的开关速度和其输入电容的充放电时间常数有很大关系，可以降低栅极驱动电路的内阻Rs，从而减小栅极回路的充放电时间常数，加快开关速度。 ?由于不存在少子储存效应，因而其关断过程是非常迅速的。 开关时间在10~100ns之间，其工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 R s R G R F R L i D u GS u p i D + U E College of Electrical Engineering and Automation * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 College of Electrical Engineering and Automation * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得IGBT具有很强的通流 能力。 ?简化等效电路表明，IGBT 是用GTR与MOSFET组成的达 林顿结构，相当于一个由 MOSFET驱动的厚基区PNP晶 体管。 图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 College of Electrical Engineering and Automation * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的工作原理 ?IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场 控器件。 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 ?电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也 具有很小的通态压降。 College of Electrical Engineering and Automation * 2.5 其他新型电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT College of Electr