第5章 固体结构教学课件.ppt

离子的极化作用及其变化规律 离子的变形性及其变化规律 极化作用和变形性对物质性质的影响 键型转变 晶型转变 溶解度降低 熔沸点降低 颜色加深 导电性变化 离子的极化作用和变形性： 离子的性质：电荷、半径、电子构型 本章作业 5，7，11，15 2. 离子极化作用和变形性 正、负离子间由于静电作用会产生相互诱导，因而使异号离子变形，这种使异号离子变形的能力称为离子的极化作用。 被异号离子极化而变形的能力称为离子的变形性。 正、负离子都有诱导异号离子使其变形的能力，所以它们都同时具有极化作用和变形性。 但是，由于原子失去电子变为正离子后半径相对较小，电场强度较大，极化作用表现更为突出。而负离子由于得到电子后半径较大，变形性则更为显著。 3.离子的极化作用和变形性的一般规律 离子的极化作用和变形性的强弱与离子的性质有关。离子的性质包括离子的电荷、离子的半径和离子的电子构型。 离子的极化作用： （1）离子的半径相近时，离子的电荷越高，离子的极化作用越强。 r(Al3+) = 50pm，r(Mg2+)=65pm 离子的极化作用：Al3+ Mg2+ （2）离子的电荷相同时，离子的半径r越小，离子的极化作用越强。 离子的极化作用：Na+ K+ （3）在离子电荷和半径相同或相近的条件下，不同电子构型的正离子极化作用的强弱为：(18+2)e-,18e- 9e-?17e- 8e- r(Cu+)= 96pm ，r(Na+) =95pm 极化作用：Cu+ Na+ 例如离子的半径： 离子的变形性： （1）电子层结构相同时，负离子的电荷越高，变形性越大。正离子，电荷越低，变形性越大。如变形性：O2- F-， Na+ Mg2+ （2）电子层结构相同时，离子的半径越大，变形性越大。如变形性：O2- S2-，Li+ Na+ K+ Rb+ Cs+。 离子的变形性： （3）不同电子构型的正离子变形性的大小为： (18+2)e,18e 9e?17e 8e 。 （4）负离子的变形性通常大于正离子。 例：r(Cd2+)= 97pm， r(Ca2+) =99pm 变形性：Cd2+ Ca2+ 离子的极化作用和变形性示意图 极化作用增强,键的共价性增强 无 弱极化 强极化 4.离子的极化对物质性质的影响 （1）离子键向共价键过渡 （2）熔、沸点降低 例：BeCl2、MgCl2、CaCl2的熔点依次为： 410 oC、714 oC、782 oC （3）溶解度降低 例：AgF为离子晶体，可溶于水。 AgCl、AgBr、AgI键的共价成份依次增大，在水中的溶解度依次减小。 （4）含氧酸盐的热稳定性降低 热分解温度： BeCO3MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3 （5）化合物的颜色加深 AgCl（白）、AgBr（浅黄）、AgI（黄） AgO（棕黑色）、AgS（黑色） HgO（土黄）、HgS（黑色） （6）化合物的晶型向低配位转变 / = 97pm/184pm = 0.53＞0.414， CdS晶型应是6配位的NaCl型，但实际上是4配位的ZnS型。 （7）化合物的导电性和金属性增强 如FeS、CoS、NiS等都有一定的金属性。 5.3.3 原子晶体 原子晶体中，晶格结点上排列的是中性原子，原子间是以强大的共价键相结合，且成键电子被定域在原子之间不能自由运动，因此原子晶体熔点高，硬度大，熔融时导电性很差。 SiC 金刚石 金刚石是典型的原子晶体，其中每个碳原子形成4个sp3杂化轨道，和周围的另4个碳原子通过C—C共价键结合，形成包括整个晶体的大分子。金刚石晶体中原子对称，等距离排布，结合特强，所以金刚石硬度特别的大，是天然物质中最硬的，经琢磨加工后成为名贵的金刚钻。 单晶Si：半导体材料。每个硅基片（芯)片上的晶体管数目已达550万个，对硅的纯度要求为13个9。 ⅢA-ⅤA、ⅣA-ⅥA族的化合物是比单晶硅更优越的半导体材料。 如GaAs，电子在GaAs单晶中的穿流速度比单晶硅中大5倍。日本松下电子工业公司开发的超高速GaAs运算放大器，比硅运算放大器的运算速率提高100倍。 5.3.4 分子晶体 分子晶体的晶格结点上排列着分子(极性分子或非极性分子)，这些分子通过分子间力相结合(在某些极性分子间还存在着氢键)。由于分子间力比化学键要小得多，因此分子晶体的熔点和硬度都很低，它们不易导电。 CO2分子晶体的空间构型