超声喷雾热解法制备半导体薄膜技术.pdfVIP

· 70 · 材料导报A：综述篇 2011年 7月(上)第25卷第 7期 超声喷雾热解法制备半导体薄膜技术 王世凯 ，姜妍彦 ，唐乃岭 ，李焕勇 ，胡志强 (1 大连工业大学化工与材料学院，大连 116034；2 西北工业大学材料科学与工程学院，西安 710072) 摘要 超声啧雾热解法(USP)作为一种新兴的薄膜制备技术，已制备 出多种半导体薄膜材料，并成功应用于 太阳能电池、传感器、固态氧化物燃料电池等领域。介绍了USP制备薄膜技术的原理，结合近年来USP技术在半导 体薄膜制备领域的研究进展，系统阐述了超声喷雾热解法制备薄膜的原理、_7-艺过程及在此过程中发生的物理化学 变化，详细分析了前驱体溶液化学组成、沉积温度、退火处理等各个工艺参数对薄膜沉积过程和成膜质量的影响，指 出了该技术 目前存在 的问题及今后 的发展方向。 关键词 薄膜 超声喷雾热解 沉积 中图分类号：TB34 文献标识码：A UltrasonicSprayPyrolysisTechnologyforDepositionofSemiconductorThinFilms WANGShikai ，JIANGYanyan ，TANGNailing ，IIHuanyong，HU Zhiqiang (1 SchoolofChemicalEngineeringandMaterials，DalianPolytechnicUniversity，Dalian116034； 2 SchoolofMaterialScienceandEngineering，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072) Abstract Asanew technologyforthin-film deposition，USP hasbeenwidelyappliedtodepositeavarietYof semiconductorthinfilmsandthesefilmsareusedsuccessfullyinvariousdevicessuchassolarceils，sensors，andsolid oxidefuelcells．ThetheoryandprocessofUSP，especiallythephysicalandchemicalchangesindepositionprocess havebeenintroducedcomprehensively．Meanwhile，theeffectsofsprayparameterssuchasthechemicalCOIl~position ofprecursorsolution，substratetemperatureandannealing trealmenton thedepositionprocessand film qualityhas beenanalyzedindetail．Atlast，theproblemsofUSPtechnologyexistingandthedevelopmentdirectioninthefuture arepointedout． Keywords thinfilm ，ultrasonicspraypyrolysis，deposition 随着半导体材料和微 电子、光电子高科技的迅速发展， 热分解 (Ultrasonicspraypyrolysis，USP)。其 中USP技术设 对薄膜材料和器件制备技术的研究显得尤为重要。先进的 备简单 ，工艺参数易于调节，并且容易实现大面积镀膜 ， 时 薄膜制备技术是实现优质半导体材料和器件的基础和保 也可生长出与其他方法 比拟的优质薄膜 ，H方‘便实现掺杂， 证 。 是一种非常经济的薄膜制备方法，存半导体薄膜材料 的制备 制备半导体薄膜的方法主要有磁控溅射、金属有机化学 中很有发展潜力。 气相沉积 (MOCVD)、脉冲激光