模拟与数字电子电路基础 第4讲专题课件.ppt

* * * * * * * 4.4.1 稳压二极管 稳压电路 UI为整流滤波后所得的直流电压。 为保证工作在反向击穿区，二极管VDZ反接。 电阻R用来在电网电压波动或负载电流变化时，调节R本身压降来保持输出电压基本不变。 稳压过程如下:(电网电压波动时） Ui UZ Uo Uo UR IR IZ * 4.5 光电器件 第4章 半导体二极管及应用电路 符号 光的颜色视发光材料的波长而定。如采用磷砷化镓，可发出红光或黄光；如采用磷化镓，可发出绿光。它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，1.5~3V，电流为几 ~ 几十mA。 发光二极管 4.5.1 发光二极管 当在发光二极管（LED）上加正向电压，并有足够大的正向电流时，就能发出可见的光。这是由于电子与空穴复合而释放能量的结果。 * 4.5 光电器件 第4章 半导体二极管及应用电路 4.5.2 光（敏）电二极管 将光信号转换为电流信号。 I U 照度增加 符号 光电二极管 光电二极管是在反向电压作用下工作。当无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小。当有光照时，其反向电流增大，称为光电流。 光电二极管 * 第4章 半导体二极管及应用电路 * 谢谢各位 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 模拟与数字电子电路基础 * 4.1 半导体基础知识 4.2 半导体二极管 4.3 单相整流滤波电路 4.4 稳压管及稳压电路 4.5 光电子器件 第4章 半导体二极管及应用电路 * 4.1 半导体基础知识 第4章 半导体二极管及应用电路 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。硅和锗都是制作二极管半导体材料。它们都是4价元素，即每个原子的最外层轨道上有4个价电子，每个价电子都与相邻原子的一个价电子形成共价键，为两个原子所共有，从而形成一种稳定的原子结构。 4.1.1 半导体导电特性 * 4.1 半导体基础知识 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 4.1.1 半导体导电特性 * Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 4.1.1 半导体导电特性 * 4.1.1 半导体导电特性 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 * 4.1.1 半导体导电特性 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。 * 4.1.1 半导体导电特性 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 * 4.1.2 PN特性 1 PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 载流子浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相