PCB电镀制程完整工艺介绍课件.ppt

鈦籃,陽極袋,過濾棉芯配槽前清洗程序. 1.配10g/L NaOH浸洗6小時以上. 2.鹼液處理后用清水沖洗 3.配10ML/L硫酸中和殘留鹼性,浸3小時以上 4.最后清水沖洗 5.陽極袋,過濾棉芯用50-60度熱水浸泡2小時再用1-4方法清洗程序. 銅球配製前清洗程序 1.配20ML/L雙氧水和20ML/L的硫酸浸泡5-10分鐘呈暗色 2.用純水沖洗乾淨放入鈦籃 錫球配製前處理程序 1.配10g/L NaOH 浸20分鐘 2.經鹼液處理后用清水沖洗 3.配5ML/L硫酸中和殘留鹼性,浸10-20分鐘 4.用純水洗凈后放入鋯籃. ICU IICU電流條件區別 電控系統 第四章 蝕刻工藝流程 蝕刻分為酸性蝕刻與鹼性蝕刻兩种,電鍍所用的是鹼性蝕刻,從機體結構與工藝流程上都不同於內層的酸性蝕刻,以下主要介紹鹼性蝕刻的工藝 投板 剝膜 水洗 看殘膜 蝕刻 化學水洗 水洗 看殘銅 剝錫A 水洗 剝錫B 水洗 烘干 收板 蝕刻線 鹼性蝕刻機從機體結構上大致可分為剝膜,蝕刻與剝錫三段 剝膜:去除多余銅面上覆蓋的干膜,使線路以外部分的銅面裸露出來 剝膜條件: 溫度 50±5 OC NaOH濃度 4±1% 剝膜后PCB 蝕刻:去除線路以外部分多余的銅面(即一次銅),使線路在蝕刻阻劑錫鉛的保護下得以保留 蝕刻原理: Cu+Cu(NH3)42++2CL- 2Cu(NH3)2+ +2CL– 2Cu(NH3)2++2CL–+O2+4NH3 Cu(NH3)42++2CL– 新液洗條件 PH 9.5±0.25 蝕刻條件: CL- 190±20g/l Cu2+ 150±10g/l PH 8.2±0.3 比重 1.18~1.22 上噴壓力 1.8±0.3kg/cm2 下噴壓力 2.2±0.3 kg/cm2 溫度 48±2 OC 蝕刻后看殘銅 剝錫(鉛):剝除線路上面覆蓋的抗蝕刻阻劑錫(鉛),剝錫液分為單液型與雙液型兩种,電鍍所用的屬雙液型剝錫液,分為剝錫A與剝錫B兩部分,剝錫A是剝去板面的純錫,而剝錫B則是為了剝去板面的銅錫合金,從而使線路充分顯露出來 剝錫液(雙型液) 602A比重:1.2-1.4 H+:3.5-6.0N 602B比重:1.0-1.12 H2O2:35 ±15ml/l 剝錫A藥液組成 A液: a氧化劑:用以將Sn/Pb氧化成SnO/PbO ｂ抗結劑：將PbO/SnO轉成可溶性結構,避免飽和沉澱 c抑制劑:防止A液咬蝕合金 B液:a氧化劑:用以咬蝕錫銅合金 b抗沉劑:防止金屬氧化物沉澱 c護銅劑:保護銅面防止氧化 測定A液有無剝錫效用,請先關掉B液試走板子,看板面呈透明 狀,表示還有藥效,若呈現黑色表示A液已無效用 錫銅合金剝除 Cu6Sn5 Cu++Sn+(溶解) Cu3Sn Cu++Sn+(溶解) 計算公式: 剝錫量(g/l)=鍍錫厚度*密度*鍍錫面積 Sn密度=7.29g/cm3 Pb密度=8.9g/cm3 Sn/Pb(60:40) 剝錫量:單液120g/l(140g/l) 雙液(A液)100g/l 雙液型剝錫液之優點 1.二步法完全剝除純錫鍍層和銅錫合金鍍層. 2.可解決鍍層分布不均勻引起的問題 3.不攻擊銅面及玻璃縴維底材 4.不產生沉淀 氧化 氧化 蝕刻后收板 第五章 電鍍各站主要不良項目 背光不良(孔破) 產生根源:1.振蕩器故障 2.藥水濃度失調 處理方式:1.過ICU報廢 2.未過ICU重工微蝕掉孔銅磨刷整孔正常流程 PCB电镀制程(完整工艺介绍) 目 錄 電鍍組織架構簡介 第一章:PTH工藝流程 第二章:ICU工藝流程 第三章:IICU工藝流程 第四章:蝕刻工藝流程 第五章:電鍍制程主要不良項目 第六章:電鍍工安注意事項 電鍍制程考核試題 通 孔電鍍 P . T . H . 鑽 孔 DRILLING 外 層 乾 膜 OUTERLAYER IMAGE 二次銅及錫鉛電鍍 PATTERN PLATING 檢 查 INSPECTION 前 處 理 PRELIMINARY TREATMENT 二次銅電鍍 PAT