沈连峰第2章集成逻辑门电路11.ppt

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2019-09-23 发布于湖北
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沈连峰第2章集成逻辑门电路11.ppt

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△ 复合管 △ 复合管 △ 复合管 △ 复合管 FET分: 1. IGFET ———— 1.NMOS —— ①增强型 ( 6 种管子) (又称“MOSFET”) ②耗尽型 2.PMOS —— ①增强型 ②耗尽型 2. JFET ————— 1.N沟道 2.P沟道 d g B s d g B s d g B s d g B s d g s d g s s：Source 源极 d：Drain 漏极 g：Gate 栅极 B：Base 衬底 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Insulted Gate Type Junction Type ID(mA) UDS= 10V 4 2 0 UGS(th) 2 4 6 UGS (V) ID(mA) UDS=UGS－UGS(th) 4 6V 3 可变电阻区恒流区 5V 2 UGS = 4V 1 3V UGS(th) = 2V 0 4 10 截止区 20 UDS(V) 一、 NMOS 单位 mS （S — 西门子） ① 输出特性曲线 ID = f(UDS) | UGS=C. ② 转移特性曲线 ID = f(UGS) | UDS=C. ( “漏极特性曲线” ) （非饱和区） ( 放大区、饱和区、线性区) (夹断区? ) d g B s 3. 伏安特性曲线(定量分析) threshold 2.4 MOS门 P36 第二章集成逻辑门电路 2.4.1 NMOS反相器和门电路一、NMOS反相器分析: 1 A Z 0 1 1 0 Z=A A L=VIL=“0”= ？ H=VIH=“1” = ？ H=VOH=“1” = ？ L=VOL=“0”= ？ c b e d g B