石墨烯 推动柔性和透明产品的发展.docxVIP

石墨烯：推动柔性和透明显示产品发展 2013-11-16 　　碳科学一直是科学界研究的重点。石墨烯更是早已成为物理学界研究的前沿课题。自从2010年诺贝尔物理学奖引发了石墨烯疯狂，石墨烯作为一种新的显示材料，一直备受关注，有关石墨烯的研究从未停止。 　　日前，北京大学、美国弗吉尼亚联邦大学和中科院上海技术物理研究所的科学家组成国际科研团队，通过理论计算，推算出一种能够在常温常压下保持金属形态的三维碳，并于美国《国家科学院院刊》在线发表了相关论文。该项研究或将揭开“是否存在于常温常压下保持金属形态的碳”之谜。那么，作为一直被热炒的对象、号称神奇之碳的石墨烯，它的研究又取得了哪些进展呢？下面我们就来看看。 　　石墨烯无缝集成电路架构 噪声容限更高、静态功耗更低 　　美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造出能效超高的柔性透明电子设备。 　　目前，用来制造晶体管和互联设备的都是大块材料，因此很难让集成电路变得更小，而且大块材料也容易导致晶体管和互联设备之间的“接触电阻”变大，而这两方面都会降低晶体管和互联设备的性能并增加能耗。基于石墨烯的晶体管和互连设备极具前景，有望解决这些基本问题。? 　　该研究的领导者、加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)电子和计算机工程系教授、纳米电子设备研究实验室主任高斯塔夫˙巴纳吉表示：“石墨烯除了是目前最纤薄的材料之外，其还具有一个可调谐的带隙。狭窄的石墨烯带能被用来制造半导体；而宽的石墨烯带是金属。不同的石墨烯带可以制成不同的设备，制成的设备可以无缝地结合在一起，这样也可以降低接触电阻。” 　　在实验中，巴纳吉研究团队使用非平衡格林函数(NEGF)来对包含有如此多异质结构的复杂电路架构的性能进行评估，并研究出了一种方法，设计出了这种“全石墨烯”的逻辑电路。该研究的合作者康家豪(音译)表示：“对电子通过由不同类型的石墨烯纳米带制造的设备和互连设备的情况以及跨过其接口的情况进行精确的评估是我们的电路设计成功并达到最优化的关键。” 　　石墨烯研究领域的大咖、哥伦比亚大学的物理学教授菲利普˙吉姆表示：“这项研究通过使用一种全石墨烯的设备——互联架构，为传统集成电路会遇到的接触电阻问题提供了一种解决办法，这将显着简化基于石墨烯的纳米电子设备的集成电路构建过程。” 　　结果表明，与目前的集成电路技术相比，新的全石墨烯电路的噪声容限更高，且耗费的静态功耗低很多。另外，巴纳吉表示，随着石墨烯研究领域不断取得进展，这种全石墨烯电路有望在不久的将来成为现实。 　　全新石墨烯生产工艺 推动柔韧和透明电子产品发展 　　哥伦比亚大学工程研究实验首次证明，可以从只有原子厚度的薄二维材料的一维边缘来进行电接触，而不是按照常规做法从其顶部接触。有了这样新的接触架构，研究人员已开发出一种新的层状材料组装工艺来防止接口污染。此外，使用石墨烯作为二维材料样品表明，这两种方法的结合会形成无污染石墨烯，该石墨烯目前尚未实现。 　研究人员采用一种新技术将二维石墨烯层完全密封在一个薄的绝缘氮化硼晶体的夹层结构中，并且将这些晶体层一个接一个地堆叠在里面。Dean解释道：“我们组装这些异质结构的方法完全消除层与层之间的任何污染，这可以通过横切设备并观察其在原子分辨率的透射电子显微镜成像来证实。” 　　一旦他们创建了堆栈，石墨烯的边缘就会暴露蚀刻，然后将金属蒸发到边缘来建立电接触。通过沿边缘进行电接触，该团队实现了在二维有源层和三维金属电极之间的一维接触。此外，尽管电子仅从石墨片的一维原子边缘进入，但接触电阻是相当低的，可到达每微米100 Ohms的接触宽度，这比石墨烯顶面接触可实现的值更小。 　　有了这两个新工艺，即通过一维边缘的接触架构和防止接口污染的堆栈组装方法，该团队能够生产“尚未实现的最干净的石墨烯”。在室温下，这些设备表现出以往所没有的性能，包括比任何传统二维电子系统至少大两倍的电子迁移率、当加入足够静电电荷到薄片时少于40 Ohms的薄层电阻率等。令人惊讶的是，这个二维薄层电阻相对于一个“大块”三维电阻率在常温下比其他金属电阻率更小。在低温下，电子通过样品时并不分散，这种现象被称为弹道传输。弹道传输在以往的样品中观察时是接近于1毫米的大小，但是这项工作证明样品中同样的行为有20毫米那么大。Dean 称：“距离远近纯粹受设备大小所限，这表明真正的‘本质’行为甚至会更好。” 　　该团队目前正在运用机械组装和混合材料的边缘接触等工艺来开发新的复合材料。这些混合材料来自于全套可用的层状材料，包括石墨烯、氮化硼、过渡金属dichlcogenides （TMDCs）、过渡金属氧化物（TMOs）和拓扑绝缘体（TIs）。De