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第一章 电力电子器件简介 分类 不可控器件：电力二极管 半控型器件：晶闸管 全控型器件：电力晶体管，门极可关断晶闸管，电力场效应管，绝缘栅双极晶体管 一.晶闸管 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅 ，晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流 ，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示 （旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管的工作原理 　　晶闸管的工作条件： 　1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。 　 2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。 　二.电力晶体管 其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力。 它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和不间断电源（UPS）内，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。 GTR结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管一样，有PNP和NPN两种类型，GTR通常多用NPN结构。 电力晶体管工作原理 在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib＞0)时大电流导通；反偏(Ib＜0＝时处于截止状态。因此，给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 电力晶体管的主要参数 二次击穿和安全工作区　 (1)二次击穿　 二次击穿是影响GTR安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时，发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。  (2)安全工作区 以直流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的工作区为一次击穿工作区，以USB (二次击穿电压)与ISB (二次击穿电流)组成的PSB (二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了防止二次击穿，要选用足够大功率的GTR，实际使用的最高电压通常比GTR的极限电压低很多。 三.门极可关断晶闸管 GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管 。其主要特点为：当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。 普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。 这就需要增加换向电路，可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR）。 四.电力场效应管(电力MOSFET) 特点——用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。但电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET的开关速度 　电力MOSFET的开关速度和C充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题。 五.绝缘栅双极晶体管 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和