变条长试验测量GaN增益时条宽的影响-发光学报.pdf

第３１卷　第１期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３１ Ｎｏ１ ２０１０年２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｆｅｂ．，２０１０ 文章编号：１０００７０３２（２０１０）０１００８６０５ 变条长实验测量 ＧａＮ增益时条宽的影响  王　伟，杨子文，于　涛，邢　兵，王　磊，李　睿，杜为民 ，胡晓东 （北京大学 物理学院，北京　１００８７１） 摘要：研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响，提出利用光刻溅射处理样品 来严格控制泵浦条的宽度，并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明：泵浦条宽度越 窄，饱和长度越长，但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。 关　键　词：ＧａＮ；条宽；变条长；模式增益；饱和长度 中图分类号：Ｏ４７２．３；ＴＮ２４８．４　　ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｃｒ；７８．６６．Ｆｄ　　ＰＡＣＣ：７８５５Ｅ；７８６５Ｋ　　文献标识码：Ａ 宝石衬底上生长的。有源区包含 ３个 ＩｎＧａＮ １　引　　言 （８ｎｍ）／ＧａＮ（３ｎｍ）量子阱，位于４ ｍ厚掺Ｓｉ μ 虽然高量子效率的ＧａＮ基器件已经实现商 的ｎ型ＧａＮ缓冲层和２００ｎｍ掺Ｍｇ的ｐ型ＧａＮ 业化，但对于其发光的物理机制至今尚未有定论。 盖帽层之间。如图１所示，对样品进行光刻溅射， ［１～５］ ＧａＮ基材料光谱性质的研究 对于分析其物理 使样品分别只露出２．６，６．２，１０．５ ｍ三个宽度 μ 机制，表征优化材料有重要的价值。测量增益的 不同的条，其余部分被约１００ｎｍ厚铝膜覆盖，以 ［６］ 方法有多种，比如 ＨａｋｋｉＰａｏｌｉ方法 、时间分辨 很好地实现变条长实验中对泵浦条宽度的限制。 ［７］ ［８］ 方法 、泵浦探测谱法 等，但研究应用最多的 而样品表面距有源区只有很薄的 ｐＧａＮ（２００ 是２０世纪７０年代提出的变条长方法（Ｖａｒｉａｂｌｅ ｎｍ），激发光到达量子阱时，由衍射带来的对条宽 ＳｔｒｉｐｅＬｅｎｇｔｈＭｅｔｈｏｄ，ＶＳＬＭ）。 和激发功率密度的影响非常微弱，可以忽略。在 ＶＳＬＭ是通过分析放大的自发发射（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ 进行光刻溅射时特别注意到使露出的样品条均沿 ＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＥｍｉｓｓｉｏｎ，ＡＳＥ）谱随泵浦长度的变化来 相同的晶格取向，从而避免了因晶格取向不同而 获取半导体激光器的光增益，是只考虑光沿着一维 带来的增益变化［１５］。 方向放大情况的近似模型。已有的研究结果在利用 实验光路如图２，光源使用３倍频调ＱＮｄ∶ＹＡＧ 此模型分析光增益时，实验过程很少考虑到泵浦条 宽度对增益的影响。有些文献中虽然也指出了实验 ［９～１４］ 时宽度的条件（５～３０ ｍ） ，但均未考虑泵浦条 μ 的宽度对结果有何影响。文献［９］指出宽度应远小 于典型长度，否则在宽度方向的载流子损耗会影响 增益的测量。 本文设计了严格控制泵浦条宽度的实验，并 详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度间 的关系。 图１　实验所用样品：暗条为泵浦条，浅色区为铝膜覆盖区。 ２　实