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强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律.PDF
37 11 Vol. 37 No. 11
第 卷 第 期 发 光 学 报
2016 11 Nov． ，2016
年 月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE
文章编号:1000-7032 (2016)11-1305-05
、
大失配 强极化第三代半导体材料体系生长动力学和
载流子调控规律
1* 2 3 4 5
， ， ， ，
王新强 黎大兵 刘 斌 孙 钱 张进成
(1． ， 10087 1 ;
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京
2 ． ， 130033 ;
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春
3 ． ， 210093 ;
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室 江苏南京
4 ． ， 215123 ;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室 江苏苏州
5 ． ， 7 1007 1)
西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室 陕西西安
摘要: (GaN) 。 、
高质量氮化镓 材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基 大失配 强极化和非平
GaN ，
衡态生长是 基材料及其量子结构的固有特点 对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科
， 。 、
学意义与实用价值 受到各国科学界与产业界广泛高度重视 本文对大失配 强极化氮化物半导体材料体系
， ， Al In
外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究 旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈 突破高 和高 氮化物
，
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