模拟电子线路基础—半导体器件.ppt

第 1 章 作业： 1-3 1-5 1-6 1-7(a)(d)(f) 1-10 1-12 1-15 1-16 1-22 1-23 1.1 半导体的基础知识 纯净的、不含杂质 的半导体 1.2 PN结与晶体二极管 交流电阻：在工作点附近电压微变量与电流微变量 之比。 1.3 特殊二极管 1.3.4 变容二极管 1.4 晶体三极管 1.5 场效应晶体管 1.5.3 场效应管工作状态的分析 1.5.3 场效应管工作状态的分析 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区： 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 可变电阻区 预夹断轨迹线 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： uDS?则iD近似线性? -------- 电阻特性 uDS变化则阻值变化 --------变阻特性 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区： 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 放大区 预夹断 轨迹线 放大区： 对应管子预夹断 后夹断前的状态 特点：受控放大 ?uGS ??则 iD ? 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 输出曲线分四区： 截止区 放大区 可变电阻区 击穿区 击穿区 UGS (off) 击穿区： 对应击穿状态 特点：uDS 很大 iD急剧增加 1.5.1 结型管JFET :工作原理续 小结： iD 受控于uGS : ?uGS ??则 iD ?直至iD =0 JFET管随uGS值的增加经预夹断至夹断状态 iD 受uDS影响 : uDS?则iD 先增随后近似不变 预夹断前uDS?则iD ? 以预夹断状态为分界线 预夹断后uDS?则iD 不变 转移特性曲线 1.5.1 结型场效应管JFET:特性曲线续 指uDS为参变量，iD随uGS 变化的关系曲线 夹断电压uGS(off) 饱和漏 电流IDSS 预夹断后转移特性曲线重合 曲线方程 条件 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 概念 特点：栅极同其余电极之间绝缘 分类：MNSFET MALSFET NMOS MOSFET PMOS 增强型 增强型 耗尽型 耗尽型 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 结构与符号 (以增强型NMOS管为例) PMOSFET NMOSFET 1.5.2 绝缘栅场效应管IGFET 工作原理 导电沟道： uGS=0时，无导电通道 (夹断状态) uGS? UGS(th)时，产生导电沟道(开启状态) 定义开启电压UGS(th) 为刚开始出现反型层（或刚产生导电通道） 时的栅源控压 UDD UGG 1.5.2 绝缘栅场效应管 :工作原理续 工作原理---------uDS 影响 iD (uGS =C?0) uGSUGS(th) 开启状态 iD 0 uDS?? iD 近似不变 uGD=UGS(th) 预夹断状态 uDS? iD ? g g g d d d UGG UGG UGG UDD UDD UDD iD iD iD 特性曲线（增强型NMOS管为例） 输出特性曲线 指uGS 为参变量，iD随uDS变化的关系曲线 1.5.2 绝缘栅场效应管 = 1 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 输出特性曲线主要分三区： 截止区 放大区 可变电阻区 UGS (th) 截止区 放大区 可变电阻区 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 截止区： 对应夹断状态 特点：uGS = UGS (th) ,iD=0 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 可变电阻区： 对应预夹断前状态 特点： uDS?则iD近似线性?----- 电阻特性 uDS变化则阻值变化------ 变阻特性 1.5.2 绝缘栅场效应管:特性曲线续 放大区： 对应管子预夹断后夹断前的状态 特点：受控放大uGS ?则 iD ? 小结：