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3.1硅晶圆制造工艺;硅作为集成电路半导体材料的主要原因：;1. 多晶硅原料
2. 单晶硅制备
3. 切割
4. 研磨
5. 评估
; 粗 硅 ;化学法纯化;直拉法（Czochralski法）单晶生长
晶体主流生长技术; 晶体和坩锅彼此是相互反向运动：;引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保 持略高于硅熔点的温度;
2. 将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体； ?;3. 等径生长：根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生长
到所需长度；
4. 收尾：直径逐渐缩小，离开熔体；
5. 降温：降级温度，取出晶体，待后续加工 。;晶体生长最大速度：
与晶体中的纵向温度梯度、晶体的热导率 、晶体密度等有关。
温度梯度：提高晶体中的温度梯度，可以提高晶体生长速度；但温度梯度太大，将在晶体中产生较大的热应力，会导致位错等晶体缺陷的形成，甚至会使晶体产生裂纹。 ?;?熔体中的对流：
晶体和坩锅彼此是相互反向运动。相反旋转的晶体和坩埚产生对流，反向旋转速度相差越大，对流强烈，所生长的晶体的直径越大。但对流越强烈，会造成熔体中温度波动，从而导致晶体中的杂质分布不均匀。
;;一支85公分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半时间长成。;4. 研磨;3. 切割;;5. 晶片评估;不同尺寸圆片的生命周期
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