《电工电子技术》——常用半导体器件--（精选）公开课件.pptVIP

第6章 常用半导体器件 6.1 半导体基础知识 6.2 半导体二极管 6.3 稳压二极管 6.4 晶体管 6.1 半导体基础知识 6.1.2 本征半导体和掺杂半导体 6.1.3 PN结及其单向导电性 6.2 半导体二极管 6.2.2 二极管的伏安特性 6.2.3 二极管的主要参数 6.3 稳压二极管 6.3.2 稳压管的伏安特性 6.3.3 稳压管的主要参数 6.4 晶体管 6.4.2 晶体管的电流放大原理 6.4.3 晶体管的特性曲线 6.4.4 晶体管的主要参数 图6-7中，实线为硅管的伏安特性，虚线为锗管的伏安特性。由图可知： 当外加正向电压很小时，由于外电场还不能克服内建电场对扩散运动的阻碍作用，所以正向电流很小，几乎为0；外加正向电压逐渐增加，当其超过一定数值后，电流增长很快，这个一定数值的正向电压称为死区电压（或门槛电压）。其大小与管子的材料及环境温度有关，一般硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.2V；当外加正向电压超过死区电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6～0.7 V，锗管约为0.2～0.3V。 （1）外加正向电压。 二极管上加反向电压时，由于少子的漂移运动形成很小的反向电流。在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和 （2）外加反向电压。 电流。 如果二极管反向电压继续增加到一定数值时，反向电流急剧增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为反向击穿。此时对 应的电压称为二极管的反向击穿电压。 由于二极管的核心是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移，正向压降减小；反向特性曲线向下移动，反向电流增大。同时，用不同材料和不同工艺制造的二极管，它们的伏安特性虽然有差异，但伏安 特性曲线的形状却是相似的。 二极管的特性除用伏安特性表示外，还可以用一些数据来说明，这些数据就是二极管的参数 。在工程上必须根据二极管的参数，合理地选择和使用管子，才能充分发挥每个二极管的作用。 （1）最大整流电流IFM。 最大整流电流是指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。使用时正向平均电流不能超过此值，否则会烧坏二极管。 （2）最大反向电压URM。 最大反向电压是指二极管正常工作时，保证二极管不被击穿而给出的最高反向工作电压，通常是反向击穿电压的一半左右。 （3）反向饱和电流IR。 反向饱和电流是指在规定的反向电压和室温下，二极管未被击穿时的反向电流，其值越小，说明管子的单向导电性能越好。 （4）最高工作频率?M 。 最高工作频率是指二极管正常工作时的上限频率值，它的大小与PN结自建电场的结电容有关，超过此值，二极管的单向导电性变 变差。 6.3.1 稳压管的结构 稳压二极管是一种特殊的面接触型硅二极管，它能在电路中能起稳定电压的作用，故称为稳压管。它的电路符号和文字符号如图6-8（a）所示，常用的稳压管有2CW和2DW系列，其外形如图6-8（b）所示。稳压管的最大特点在于它工作在反向击穿状态，而又不致损坏。其原因是在制造工艺上采取了适当的措施，保证了在一定的反向电流数值内，虽然管子工作在击穿状态，但 其PN结结温不会超过允许数值。 + - （阳极） （阴极） DZ 图 6-8 （a）稳压管的电路符号和文字符号 图 6-8 （a） 2CW和2DW系列外形 稳压二极管的正向特性曲线与普通硅二极管相似，但是，它的反向击穿特性较陡，反向击穿电压较低（普通面接触型二极管为数百伏，一般稳压管为数伏至数十伏），容许通过的电流也比 稳压管通常工作在反向击穿区，当反向击穿电流在较大范围内变化时，其两端电压变化很小，因而具有稳定电压的作用。只要反向电流不超过允许范围，稳压管就不会发生热击穿而损坏。 较大。如图6-9所示 为此，在电路中，稳压管必须串联一个适当的限流电阻。 图 6-9 稳压管的伏安特性曲线 （1）稳定电压UZ。 稳定电压就是稳压二极管的反向击穿电压。它是稳压二极管正常工作时，所能提供的稳定电压。 （2）稳定电流IZ 。 稳定电流就是稳压二极管在反向击穿状态下的最小电流。当工作电流小于此值时，稳压管会退出击穿 状态，失去稳压作用。 （3）最大稳定电流IZmax。 最大稳定电流就是稳压二极管所允许的最大击穿电流。超过此值，管子会被烧毁。 （4）最大允许功耗PZM 。 最大允许功耗就是稳压二极管允许消耗的最大平均功率。超过此值，