半导体物理复习(1).ppt

光电导材料的电导率 无光照时：σ0 = n0qμn+p0qμp (暗电导) 有光照时： σ= σ0+Δσpn 其中：Δσpn= Δnqμn+Δpqμp (光电导) 利用光电导效应可以制造出各种波长范围的光敏电阻，光敏二极管，光敏晶体管和CCD图象传感器。 （2）光生伏特效应? 半导体受光照射产生电势的现象称为光生伏特效应。 光照引起pn结两端产生电动势的现象称为pn结光生伏特效应。当光照射到结区时，产生电子与空穴对，其中电子被内建电场扫向n区、空穴被内建电场扫向p区，电子在n区积累而空穴在p区积累，使pn结两端出现由光照而产生的电动势。 第六章pn结 1. pn结热平衡时的能带图 2.内建电势VD：热平衡条件下的耗尽区电压 * * * * * * * * * * * * * * （3）简并半导体和非简并半导体 简并半导体：掺杂浓度高，对于n型半导体，其费米能级EF接近导带或进入导带中；对于 p型半导体，其费米能级EF接近价带或进入价带中的半导体 非简并半导体：掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体 n型半导体 p型半导体 非简并 弱简并 简 并 第四章半导体的导电性 一、基本概念： 1。载流子的漂移运动？写出总漂移电流密度方程 载流子在电场作用下的运动。漂移电流密度与载流子的浓度、载流子的迁移率和外加电场的大小有关 2。迁移率的物理意义？迁移率的单位是什么？载流子的迁移率与那些因素有关 单位电场作用下载流子获得平均漂移速度，它反映了载流子在电场作用下的输运能力。单位cm2/v?s 迁移率与杂质浓度和温度有关，温度增加时，晶格散射增强，迁移率减小；杂质浓度增加时，电离杂质散射作用加强，迁移率减小。 3。什么是载流子的散射？半导体中载流子的有哪两种主 要散射机制 没有外场的作用，载流子作无规则的热运动。载流子在半导体中运动时，不断地与热振动的晶格原子或电离的杂质离子发生碰撞，碰撞后载流子的运动速度的大小和方向发生了改变。用波的概念，就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。 半导体中载流子的散射机制： 晶格振动散射和电离杂质散射 4. 半导体的电阻率（或电导率）与那些因素有关 n型半导体 p型半导体 本征半导体 电阻率与载流子浓度与迁移率有关，二者均与杂质浓度和温度有关。 五 半导体中载流子运动 热运动:导带中的电子和价带中的空穴始终在进行着无规热运动,热平衡时热运动是随机的统计平均的结果净电流为0。 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。 1、载流子的运动 载流子的漂移运动 载流子在电场作用下的输运过程 漂移运动实际是载流子在电场作用下经历加速、碰撞过程的平均结果。 外场下，导带电子和价 带空穴同时进行漂移运 动，对电导有贡献。 散射及散射机构 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 散射机构 （1）电离杂质散射 （2）晶格振动散射 声学波 光学波 （3）其他散射：能谷散射、中性杂质散射、位错散射 长纵声学波在长声学波中起主要作用 电阻率与温度的关系 载流子主要由电离杂质提供 杂质全部电离，晶格振动散射上升为主要矛盾 本征激发成为主要矛盾 半导体中载流子在电场作用下，将做定向漂移运动，设其定向漂移运动的平均速度（称为漂移速度）为vd。 其中n为载流子的浓度，q为载流子的电量。 实验显示，在弱电场下，载流子的漂移速度v与电场成正比E。 与欧姆定律比较得到半导体的电导率表达式 迁移率?：为单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力，是反映半导体及其器件导电能力的重要参数。单位：cm2/Vs。 强场下漂移速度趋于饱和 求得平均漂移速度 获得迁移率的表达式 其中?平均自由时间。 由 影响迁移率的因素 不同的半导体材 料的迁移率不同 不同类型的载流子迁移率不同 电子迁移率空穴迁移率 ?GaAs ?Ge ?Si ----平均自由时间，即相邻两次碰撞之间的平均时间。 其影响因素与散射模式相关 电离杂质散射 晶格散射 半导体中有电子和空穴两种载流子，电场作用下的电流密度 得到电导率与迁移率的关系式 一般情形，半导体电子和空穴的迁移率在同一数量级，因此，其电导率主要由多数载流子决定。 第五章 非平衡载流子 一、基本概念 1。过剩电子，过剩空穴，过剩载流子（非平衡载流子），非平衡载流子的寿命？ 过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度 过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度