第2课电路基础知识.ppt

2、热地 （1）、热地是带电的地，是不安全的。 下面我们来分析带多少伏特电压，带什么波形的电压，见图（2）。 图2 （2）、由图（2）可得结论： 热地带220Vrms 交流50Hz半波电压。最高电压是310V。是很危险的，必须隔离! 产品设计过程中，产品生产过程中，产品到了消费者使用过程中都要十分注意这个电压。 安规就是各个国家管理这个电压法律文件、操作规程。 3、热敏电阻： NTC负温度系数：一般用在消除浪涌电路。小电流可恢复保险丝小于10A。 PTC正温度系数：用于消磁等电路 4、光敏电阻： 一般用在环境光控制上。 5、压敏电阻：防止过电压保护。安全件。 6、电位器：种类繁多。是电阻类。 5、晶体管的各极电流 说明： 发射区为高掺杂浓度、基区为低掺杂的浓度，因此有 集电区中因 由少数载流子形成的，因此有 正向受控的电流：发射区中的自由电子通过发射结注入、基区扩散(复合)和集电区收集三个环节将发射区的注入电子转化为集电结电流，成为正向受控的电流，且其大小仅受发射结的正向偏置电压VBE控制，而几乎与集电结反向偏置电压VCB无关。 寄生电流：其它载流子运动产生的电流对正向受控作用都是无用的，称为寄生电流。 一般情况下，由少子形成的电流 可忽略不计。但随着温度升高，本征激发的增强，基区和集电区的少子剧增，则该电流显著增大。 （1）集电极电流 其中： 为反向饱和电流，常温下很小，可忽略不计。 但与温度密切相关，温度每升高10度， 约增大一倍。 因此，集电极的电流主要是 ，它主要受发射结的正向偏置电压VBE影响。 其中IS 为饱和电流，与基区的宽度成反比，与发射结的面积成正比，也称为比例(刻度)电流。典型范围为：10-12——10-18A。 它也与温度有关，温度每升高5度，约增大一倍。 集电极的电流可表示为： （2）基极电流 其中： IB1是由基区注入到发射区的空穴产生的电流， IB2是基区中的空穴与发射区注入的自由电子复合引起的电流。 两者均与 成比例关系。基极电流也与集电极电流成比例关系，它可表示为： 其中β称为共发射极的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。 对于给定的晶体管，其β值为常数，一般在50到200之间，但会受温度影响。 （3）发射极电流 ——内部看 ——外部看 其中　为共基极电流放大倍数，它反映了发射极电流 转化为集电极电流 的能力。其值一般小于约等于1 。 与 的关系满足： 或者 注意：PNP型晶体管的工作原理与NPN型晶体管对应，外部各极电流的大小与NPN型一样，但其实际电流的流向则与NPN型晶体管相反。 6、输入特性曲线 当VCE为常数时，输入特性曲线是描述输入端口电流iB随端口电压vBE变化的曲线。改变参变量VCE的值，得到一组曲线,如左图所示。 当参变量VCE增大时，曲线向右移动，或者当vBE一定时，iB随VCE的增大而减小。 7、 输出特性曲线 它分为四个区域： 放大区 截止区 饱和区 击穿区 （1）、放大区 区域： 且 特点：满足 当iB等量增加时，输出特性曲线也将等间隔地平行上移。 电路基础知识　　　 安全篇 一、安全知识！ 1、定义： （1）BUS电容：220VAC 经全桥整流后滤波、储 能电容称为BUS电容。 BUS电压：BUS电容上的电压称谓BUS电压。 （2）热地： BUS电容负端称为热地。 （3）冷地： 经安全隔离后变压器次边第一个整流 后滤波、储能电容负端称为冷地。 见图（1） 图1 基础篇 一、电阻 物体对电流的阻碍作用称为电阻。 利用这种阻碍作用做成的元件称为电阻器，简称电阻。 单位：欧姆 参数：功率，阻值，误差是其主要参数。 符号： 1、贴片碳膜电阻：0603,0805,1206型编带电阻。 误差有5%，1%。多用于12V一下电路。 2、1/2W, 1W, 2W碳膜，金属膜，金属氧化膜电阻： 在脉冲电路选择电阻功率时，绝不能用万用表直流档 测得电阻两端电压值来计算电阻功率。而要用示波器测电 阻两端电压波形的最高值来计算电阻功率。这样才能保证 可靠性。对于高压脉冲电路要用实芯电阻，不能用薄膜电 阻。 7、电阻串联算法：