电子制造技术概述.pptVIP

记忆流程的方法，如同洗完澡穿衣服的顺序 滚磨 （111）晶向单晶硅棒有三个棱，（100）晶向有四个棱，经滚磨使单晶硅达到标准直径。 定晶向 可以采用X射线方法确定晶向，并切出参考面。当X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向。 化学腐蚀 用化学腐剂腐蚀去除滚磨造成的损伤，化学腐剂腐蚀为各向同行腐蚀液：HF：HNO3=3：1。 切片 以主参考面为基准切大圆片。（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出30．5°。 倒角 采用研磨法给大圆片倒角，避免在后面的工艺生产中因角碎带来污染。 研磨 用研磨液淹没，以保证表面平整，达到平行度的要求。 化学腐蚀 以去除研磨造成的损伤，化学腐蚀同（3）。 测试 测硅片厚度和电阻率。由电阻率ρ可知硅片的掺杂浓度N。电阻率ρ测量，一般采用四探针方法。 做背损伤 主要方法有研磨、喷砂，及重金属离子注入。这道工序根据需要而定。损伤层能吸收金属杂质和点缺陷（间隙杂质）。 抛光 将硅片表面最后用抛光液抛光。 清洗 进行化学和机械清洗。 检验 检验表面清洁和平整度。 * * 表面组装工艺技术 第一章 电子制造技术概论 合适的组装方式是高效、低成本组装生产的基础，也是SMT工艺设计的主要内容 组装方式可分为以下三类： 单面混合组装 双面混合组装 全表面组装 2.1 组装方式与组装工艺流程 组装工艺流程 不同的组装方式有不同的工艺流程，同一组装方式也可有不同的工艺流程。 主要分类： 单面混合组装工艺流程 双面混合组装工艺流程 全表面组装工艺流程 单面混合组装工艺流程 SMC先贴法 SMC后贴法 双面混合组装工艺流程（1） SMD和THC在同侧 双面混合组装工艺流程（2） SMD和SMIC分居两侧 全表面组装工艺流程 单面组装工艺流程 全表面组装工艺流程 双面组装工艺流程 生产线是批量化生产某种产品所需的所有原材料、设备、工艺技术以及相关人员的总和。 2.2 SMT生产线的设计 标准的SMT生产线应包括如下主要设备：上料装置、点胶机、印刷机、贴片机、焊接炉、检测设备等。 2.2 SMT生产线的设计 1、元器件及基板的选择 元器件的供应要有保障； 元器件的质量和尺寸精度要有保证； 考虑元器件的极限装配条件； 考虑元器件组装对工艺设备的要求。 具体设计内容： 2、组装方式及工艺流程的选择 尽可能选择单面组装方式，降低工艺难度； 尽可能也适用双面组装； 初定工艺流程 3、自动化程度（取决于贴片机、运输系统和控制系统） 高速线—≥8k片/h，±0.2mm 中速高精度线—3k~8k片/h， ±0.1mm 低速半自动线—≤3k片/h 手动—多用于研发或样品制作 具体设计内容： 4、设备选型——SMT设计的重点工作 性能、功能、可靠性及价格； 可扩展性及灵活性； 操作和维护。 工艺设计——包含工艺流程、工艺要求、工艺参数、检查与返修，以及生产线的布置、设备指标清单、工艺原材料清单等。 组装设计——印制网板文件（版图、结构、精度等）、贴片机文件（元件描述、拾放程序、贴片数据等）、焊接设备文件（设备参数等）、测试与检验文件等。 工艺设计和组装设计 2.3 电子制造简介 前工序：微电子产品制造的特有工艺 后工序 * 硅片制造 切片工艺流程： 单晶生长 → 切断 → 滚磨 → 定晶向 → 切片→ 倒角 → 研磨 → 腐蚀 → 抛光 →清洗 → 检验→包装 * 2.3.1 多晶硅的制备 制备多晶硅，是采用地球上最普遍的原料石英砂（也称硅石），就是二氧化硅，通过冶炼获得多晶硅，再经一系列化学的、物理的提纯工艺就制出半导体纯度的多晶硅。 电子级多晶硅纯度可达11N。 * 冶炼 冶炼是采用木炭或其它含碳物质如煤、焦油等来还原石英砂，得到硅，硅的含量在98-99﹪之间，称为冶金级硅，也称为粗硅或硅铁。　 　 SiO2+2C Si+ 2CO↑ 主要杂质：Fe、Al、C、B、P、Cu 要进一步提纯。 1600-1800℃ * 提纯 酸洗 hydrochlorination　硅不溶于酸，所以粗硅初步提纯是用HCl、 H2SO4、王水、ＨＦ等混酸泡洗至Ｓi含量99.7%以上。－－化学提纯 Si + 3HCl → SiHCl3 + H2 Si + 2Cl2 → SiCl4 蒸馏提纯 distillation 利用物质的沸点不同，而在精馏塔中通过精馏来对其进行提纯 －－－－物理提纯 先将酸洗过的硅氧化为SiHCl3或 SiCl4，常温下SiHCl3 (沸点31.5℃)，与SiCl4( 沸点57.6℃)都是液态，