2019届高考化学二轮复习测试专题突破练(十七).docVIP

2019届高考化学二轮复习测试专题突破练(十七).doc

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专题突破练(十七) 物质结构与性质(选考选修3的学生使用) 1.(2017·江苏单科,21A)铁氮化合物(FexNy)在磁记录材料领域有着广泛的应用前景。某FexNy的制备需铁、氮气、丙酮和乙醇参与。 (1)Fe3+基态核外电子排布式为__________。 (2)丙酮()分子中碳原子轨道的杂化类型是________,1 mol丙酮分子中含有σ键的数目为________。 (3)C、H、O三种元素的电负性由小到大的顺序为________。 (4)乙醇的沸点高于丙酮,这是因为________。 (5)某FexNy的晶胞如图1所示,Cu可以完全替代该晶体中a位置Fe或者b位置Fe,形成Cu替代型产物Fe(x-n)CunNy。FexNy转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图2所示,其中更稳定的Cu替代型产物的化学式为________。 解析: (1)Fe3+基态核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d5或[Ar]3d5。 (2)丙酮分子中有两种碳原子,其中—CH3中碳原子为sp3杂化,中碳原子为sp2杂化;单键均是σ键,一个双键中有一个σ键和一个π键,故1 mol丙酮分子中含有9 mol σ键。 (3)依据同周期元素电负性变化规律可知,电负性:CO;再结合元素非金属性强弱关系可知,电负性:HC。 (4)乙醇分子间存在氢键,使得乙醇沸点较高。 (5)由图2可知更稳定的Cu替代型产物为Cu替代a位置Fe型,利用均摊法可得晶胞中各原子个数Cu:8×eq \f(1,8)=1,Fe:6×eq \f(1,2)=3,N:1,故化学式为Fe3CuN。 答案: (1)[Ar]3d5或1s22s22p63s23p63d5 (2)sp2和sp3 9 mol (3)HCO (4)乙醇分子间存在氢键 (5)Fe3CuN 2.(2017·广东茂名模拟,35)铁是一种重要的过渡元素,能形成多种物质,如做染料的普鲁士蓝化学式为KFe[Fe(CN)6]。 (1)Fe2+基态核外电子排布式为 ________________。 (2)在普鲁士蓝中,存在的化学键有离子键、______和______。 (3)一定条件下,CN-可氧化为OCN-。OCN-中三种元素的电负性由大到小的顺序为________;碳原子采取sp杂化,1 mol该物质中含有的π键数目为________。 (4)与CN-互为等电子体的一种分子为________(填化学式)。 (5)常温条件下,铁的晶体采用如下图所示的堆积方式,则这种堆积模型的配位数为________,如果铁的原子半径为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA,则此种铁单质的密度表达式为________g/cm3。 解析: (1)Fe原子的基态核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d64s2,所以Fe2+基态核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6。 (2)KFe[Fe(CN)6]属于离子化合物,是一种复盐,也是一种配合物,阳离子是K+、Fe3+,阴离子是配离子[Fe(CN)6]4-(其中Fe为+2价),其中K+、Fe3+和[Fe(CN)6]4-以离子键相结合,[Fe(CN)6]4-中Fe2+和CN-以配位键相结合,CN-内C和N以共价键相结合。 (3)OCN-中的C原子采取sp杂化,则其空间结构为直线形,结合OCN-与CO2是等电子体,可知OCN-的结构式是[O===C===N]-,则1 mol OCN-中含有的π键数目是2NA。 (5)图示的堆积方式是非密置层的体心立方堆积,所以配位数是8;铁的一个晶胞中有两个Fe原子,因此晶胞质量m=eq \f(56×2,NA) g,若铁的原子半径为a cm,则晶胞边长为eq \f(4a,\r(3)) cm,晶胞体积V=(eq \f(4a,\r(3)))3 cm3,所以铁单质的密度ρ=eq \f(m,V)=eq \f(\f(56×2,NA),?\f(4a,\r(3))?3) g/cm3。 答案: (1)[Ar]3d6 (2)共价键 配位键 (3)ONC 2NA (4)CO或N2 (5)8 eq \f(\f(56×2,NA),?\f(4a,\r(3))?3) 3.(2017·湖北黄冈联考)铜是人类最早发现的金属,也是人类广泛使用的一种金属。铜及其化合物在工业、工程技术和工艺上有着广泛的应用。 (1)早期发现的天然准晶颗粒由Cu、Fe、Al三种金属组成。Fe元素位于元素周期表的________区。基态Al原子的L层电子排布图为____________。 (2)Cu2O为半导体材料,可由乙醛(CH3CHO)和新制氢氧化铜反应得到,同时可得到乙酸。乙醛中碳原子的杂化轨道类型为________,1 mol乙酸分子中含有的σ键的数目为________。 (3)制作单晶硅

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