Q_321001GHM522-2019MDST系列三相混合整流模块.pdf

ICS 31.080.99 K46 Q 扬州四菱电子有限公司企业标准 Q/32100 1GHM 522—2019 代替Q/321001GHM 522—2016 MDST 系列三相混合整流模块 2019-06-30 发布 2019-07-18 实施 扬州四菱电子有限公司 发 布 Q/321001GHM 522—2019 前 言 本标准代替Q/321001GHM 522—2016 《MDST系列三相混合整流模块》，本次修订技术要求仍依据JB/T 5834— 1991 《电力整流模块》相应条款(技术要求、试验方法等)、GB/T4589.1－2006 《半导体器件第 10部分:分立器件和集成电路总规范》、GB/T12560— 1999 《半导体器件分立器件分规范》Ⅰ类要求。 本标准按GB/T 1.1—2009 《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写规则》给出的规则进行起 草。 本标准由扬州四菱电子有限公司起草。 本标准起草人：邵如根。 本标准历次版本发布情况: Q/321001GHM 522—2010、Q/321001GHM 522—2013、Q/321001GHM 522 —2016。 I Q/321001GHM 522—2019 MDST 系列三相混合整流模块 1 范围 本标准规定了MDST 系列整流模块的要求、检验方法与检验规则、标志、包装等。 本标准适用于六只普通整流芯片和一只普通晶闸管芯片组成的MDST75A～200A三相混合整流模块 (以下简称模块)。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 2423.4—2008 电工电子产品基本环境试验规程 试验Db：交变湿热试验方法 GB/T 2423.22—2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化 GB/T 2424.19—2005 电工电子产品环境试验 模拟贮存影响的环境试验导则 GB/T 4023—2015 半导体器件 分立器件 第2 部分：整流二极管 GB/T 4589.1—2006 半导体器件 第10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 12560—1999 半导体器件 分立器件分规范 GB/T 15291—2015 半导体器件 第6部分 晶闸管 JB/T 5834.1—1991 电力整流模块 MDC、MDA 和MDK 系列25A 以上整流桥臂模块 3 要求 3.1 外形尺寸 外形尺寸见附录A 。 3.2 额定值 3.2.1 最大额定值（极限值）应符合表1的规定（电流、电压均为单个芯片值。以下同）。 表1 直流输出 通态平 正向浪涌 I2t 反向重复 反向不重复 最高 贮存 电流 均电流 电流 峰值电压/断态 峰值电压/断态不 结温 温度 型 号