射线检测原理.pptVIP

(锎)Cf252中子源的半衰期2.65年，产额2.3×1012中子/s/g，目前价各还很贵。利用Cf252可做成可移动式中子照相装置。 另一种可移动中子装置，核心是与密封管中子发生器组合在一起的慢化器，与Cf252中子源不同之处是可以关闭，不运行时无需屏蔽。 国外中子管的中子产额已达1012中子/s，完全可以满足照相的要求。 从中子照相来说，要求中子射线强度大、射线束质量高、便宜、方便、操作灵活等。 目前，强度大的源是核反应堆，但它投资大、笨重、无法用于生产现场。 而小型加速器、中子管、同位素中子源等虽然灵巧、方便，但强度总的来说还不够高。 3-1-4 射线的衰减特性 射线对物质的作用理论上有12种效应，其中主要的有4种：光电效应、瑞利散射、康普顿效应以及电子对生成。 能量较小时、前两种效应比较重要，电子对生成效应仅当能量大于1MeV时才开始显著。 各种效应随物质原子序数的不同而改变，原子序数低效应弱，原子序数高效应强。 上述几种效应造成射线能量减弱，其原因是物质对射线的吸收与散射。 射线被吸收时其能量转变为其它形式，如热能，散射则使射线的传播方向改变。 (1) 射线的吸收 A 光电效应 射线通过物质时，光子与原子相互作用，光子被吸收，原子中的电子被释放出来，称为光电子，即光电效应。 当光子的能量处在γ射线的能量范围时，光电效应与原子序数的关系密切，原子序数愈高，光电效应愈显著，光电效应与光子能量的3次方成反比，能量愈高，光电效应愈弱。 例如能量为0.5MeV的γ射线通过铅板时，光电效应的吸收十分显著，当为2MeV时则光电效应很小。 光电效应可产生的特征X射线，称为荧光X射线，产生荧光X 射线的最佳条件是光子能量稍大于原子核外电子、如K层电子的结合能，能量太大就难以产生荧光X射线。 B 电子对生成 射线通过物质时除产生光电效应外，还有电子对生成。 当光子能量大于1.02MeV时产生电子对，产生电子对导致能量减弱的吸收系数与原子序数的平方成正比。 光子能量小于1.02MeV时不产生电子对，因此电子对效应主要发生在高能射线。 (2) 射线的散射 A 康普顿散射 又称非弹性散射和非干涉散射，一个光子和物质中一个自由电子或束缚较弱的电子发生碰撞后，光子将一部分能量传给电子，波长变长。 电子即从原子空间中以与光子初始运动方向成φ角的方向射出。光子则朝着与自己初始方向成θ角的方向散射，这就称为康普顿散射。 轻原子中的电子一般束缚较弱，重原子中的电子只有外层电子束缚较弱。 因此，原子序数小的物质，其康普顿散射较强，而原子序数大的物质则相对较弱。 B 汤姆逊散射 汤姆逊散射即弹性散射、干涉散射，在美国又称为瑞利散射。 当光子与原子中束缚很紧的电子碰撞时，光子将与整个原子之间交换能量，但原子的质量比光子大得多。 按照弹性力学理论，散射光的频率不会显著改变，其波长与入射线相同，称为弹性散射。 汤姆逊散射几率与原子序数成正比，与入射能量成反比。 汤姆逊散射对原子序数高的物质和能量低的光子来说是最重要的，但它绝不会超过总衰减的20%，一般不大于1% 上述效应随光子能量的变化如图所示，被作用物质为铁，能量0.01MeV时光电效应占优势，随光子能量增加，光电效应逐步减少，而康普顿效应逐渐加大。 光子能量0.1MeV左右时汤姆逊效应最大，但其发生率不满10%。1MeV左右、X射线衰减基本由康普顿效应造成，此后电子对效应逐步变大。 10MeV左右、电子对效应与康普顿效应作用程度相同。大于10MeV时、电子对效应为主。 图中可知，在射线能量较低范围内，散乱射线主要是由汤姆逊效应产生，而在射线能量较高范围内，散乱射线主要由康普顿效应产生。故对一般射线检测，康普顿效应是主要的。 康普顿散射系数与汤姆逊散射系数之和称为散射系数σ，总的衰减系数μ为散射系数与吸收系数(τ)之和。 线衰减系数不是常数，与射线能量有关。同时也与物质质量成正比，质量衰减系数为 当一束平行的强度为I0的单色射线，透过厚度为d的一层均匀物质时，射线强度的衰减将遵循以下规律 由于散射线的存在，透过厚度为d物质时，除透射线外，还要加上物体内部散射线强度。 因此，其衰减规律如下式所示 式中n为散射比，它是射线透过工件后散射线剂量与透射线剂量之比。 影响散射比的因素有焦距、照射场大小、射线性质和工件厚度等。 例如，X射线照相时