料科学基础-第3章晶体缺陷(修改).ppt

以上公式对由刃位错组成的小角倾斜晶界和扭转晶界都适用，扭转晶界时γ0 和B值不同 小角晶界能γG是位向角θ的函数，随θ增加， γG增加（以Cu为例，上述关系只在10°以内成立） Cu晶体的不同界面能的界面能 2) 大角度晶界的晶界能 大角度晶界的晶界能高于小角度晶界, 但与位向差 无明显关系，可近似看成材料常数 大角度晶界能与材料弹性模量有很好的对应关系 Cu晶体的晶界能与位向差的关系 弹性模量（GPa） 大角度晶界能（J/m2） Sn Ni Fe Cu Au 40 193 196 115 77 0.16 0.69 0.78 0.60 0.36 一些材料的大角度晶界能和弹性模量的比较 材 料 小角晶界公式 二、表面及表面能 晶体中每个质点周围都存在着一个力场，在晶体内部，质点力场是对称的。但在固体表面，质点排列的周期重复性中断，使处于表面边界上的质点力场对称性破坏，表现出剩余的键力 与内部原子相比, 表面原子的结合有如下特点 存在不饱和键力 1. 晶体表面原子结合的特点 晶体表面原子的近邻原子数减少，其相应的结合键数也减少，或者说结合键未饱和。因此表面原子有强烈的倾向与原子或分子相互作用，发生电子交换，使结合键趋于饱和 存在范德瓦耳斯力 　　NaCl表面原子的切面图 晶体表面原子在不均匀力场作用下会偏离其平衡位置而移向晶体内部，但是正、负离子偏离的程度不同，结果在晶体表面或多或少形成双电层 解释？ ——单位面积表面使晶体能量增高的部分 式中，　 — 晶界能 E — 弹性模量 b — 表面的原子间距 2. 表面能 立方体尺寸 表面积 10-2m 6×10-4m2 10-5m 6×10-1m2 10-9m 增加1000万倍 应用 — 硅酸盐材料生产中，通常把原料破碎研磨成微细粒子(粉体)以便于成型和高温烧结。其驱动力来源于十分高的表面能 3. 晶体的表面形貌 晶体表面通常是原子最密排面或次密排面。密排面上原子密度最大，则该面上任一原子与相邻晶面原子的作用最少。故表面能最低 (110) (001) (100) (111) 晶体表面的台阶及凹凸不平 原子密排面 场离子显微镜显示：不论表面是否平行于密排面，宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成，台阶密度取决于表面与密排面的夹角 — 外来原子或气体分子在界面上富集的现象 吸附现象的特点： 使体系能量降低，是自发过程 是放热过程．温度降低有利于吸附；温 　　度升高有利于解吸　 三、表面吸附与晶界内吸附 1. 吸附现象 1) 物理吸附：由表面的范德瓦耳斯力所致，无 选择性，吸附热较小 2) 化学吸附：由表面的不饱和键力所致，有电 子转移，有选择性（必须形成化 合物），吸附热较大 物理吸附 化学吸附 ｛ 2. 表面吸附 金属粉末 物理吸附—吸附水蒸气 化学吸附—结合氧原子。形成化合 物后表面能会下降 六、位错的分解与合成 位错具有很高的能量。因此它是不稳定的，除了上述交互作用外，还常发生自发反应．由一根位错分解成两根以上的位错，或者两根以上的位错合并为 一根位错。这些统称为位错反应、位错反应的结果是降低体系的自由能 1 位错反应的条件 式中，　为反应前各位错的柏氏矢量 　　　　为反应后各位错的柏氏矢量 ① 几何条件： ② 能量条件： 2a[100] → a[100]+a[100] 4a2＞2a2 大位错分解为小位错 例题 下述位错反应能否自发进行？ 　　(1)fcc中 (2)fcc中 解:(1)满足几何条件，但　　　　　　，不能 (2)满足几何条件，且　　　　　　　，能 2 实际晶体中位错的柏氏矢量 位错能量∝∣b∣2 b越小越稳定，柏氏矢量大的位错往往分解 成柏氏矢量小的位错 在实际晶体中，位错的柏氏矢量都是与连接点阵中最近邻两个原子的点阵矢量相等 柏氏矢量等于晶体点阵矢量的位错称为全位错或单位位错 b.c.c F.c.c h.c.p 金属晶体结构中常见单位位错的柏氏矢量 柏氏矢量小于点阵矢量的位错称为不全位错或分位错。即柏氏矢量不是从一个原子到另一个原子位置，而是由原子到结点之间的某一位置 b.c.c F.c.c h.c.p a/6112 a/3111 a/3111 a/8110