半导体物理与器件第五章1.pptVIP

强电场效应 强电场时，载流子还可以在不同能谷间进行转移，发生多能谷散射，而不同能谷内电子的迁移率不同，从而导致负微分迁移率（电导）效应。当外加电压使样品内电场强度处于负微分电导区时，就可以发生耿氏效应。 多能谷散射 耿氏效应 负微分迁移率 多能谷散射（砷化镓） μ1=6000~8000 cm2/V·s; μ2=930 cm2/V·s; Γ Ⅱ Ⅰ L X 约0.31eV [111] [100] 1电场很低 2电场增强 3电场很强 负微分迁移率 在漂移速度下降的区域，电场越强，电子漂移速度越小，电流密度越小，即出现负微分迁移率 1 2 3 E 高场畴区与耿氏振荡 耿氏器件工作示意图 _ + vd |Ea| |Ed| |Eb| |E| Δn t t1 t2 |Eb| |Ea| x 畴外场|Ea| 畴内场|Eb| 高场畴 稳定的高场畴 |E| t1 t2 |Ed| 漂移运动小结 载流子在外电场下的运动 漂移运动，产生外电流 无规则热运动，与晶格和杂质发生散射 载流子在外电场下的迁移率(平均漂移速度与外电场关系） 迁移率反映了载流子散射的强弱，在散射作用下，载流子漂移速度不会无限增大。电场，迁移率，平均漂移速度关系如下： 两个运动 三个关系 由微分欧姆定律，半导体电导率与载流子迁移率的关系 半导体电导率、载流子迁移率与平均自由时间的关系的关系 载流子迁移率受温度和杂质浓度的影响的规律 半导体内的主要散射机构 不同散射与温度和杂质浓度的关系 半导体电阻率受温度和杂质浓度影响的规律 本征半导体 杂质半导体 两个规律 强电场效应 速度饱和 负微分迁移率（电导）效应 三个效应 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 散射机理总结 对硅锗等原子晶体：主要是纵、长声学波散射； 对化合物半导体：主要是纵长光学波散射； 高温时，主要是晶格散射。 低温时，主要是电离杂质的散射； 迁移率与杂质和温度的关系 迁移率与杂质和温度的关系 根据平均自由时间与散射几率的关系： 各种散射机构的迁移率与温度的关系为： 电离杂质散射： 迁移率与杂质和温度的关系 上述每一个散射机构单独起作用时，相应的迁移率都与温度密切相关，而由于电离杂质散射作用，迁移率还与杂质浓度密切相关。 晶格声学波散射： 晶格光学波散射： 迁移率与杂质和温度的关系 半导体同时存在多个散射机构 总散射几率为各种散射机构散射几率之和： 则总平均自由时间： 除以 得： 迁移率与杂质和温度的关系 对于掺杂的硅、锗等原子半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射： 两种机构同时存在： 所以： 声学波散射 电离杂质散射 迁移率与杂质和温度的关系 总体上随温度的升高迁移率下降 在低温范围，杂质散射作用较明显，所以杂质浓度对迁移率的影响较明显，不同的掺杂浓度，迁移率分的很开，而且在高掺杂时，随温度上升，迁移率略有上升； 在高温范围，晶格散射作用较明显，所以曲线发生汇聚，且随温度上升而下降。 如图所示为不同掺杂浓度下，硅单晶材料中电子的迁移率随温度的变化关系示意图。 电子 右图为300K时锗、硅、砷化镓迁移率与杂质浓度的关系。 在较低掺杂浓度，迁移率基本不变， 当掺杂浓度较大时，杂质越多，散射越强，迁移率越小。 对于补偿半导体：载流子浓度决定于施主和受主浓度之差，但是迁移率决定于两种杂质浓度之和。 高频半导体材料做原位掺杂 例： 长为2cm 的具有矩形截面的Ge 样品，截面线度分别为1 和2mm，掺有1022m?3受主，试求室温时电阻的电导率和电阻。再掺入5×1022m?3 施主后，求室温下样品的电导率和电阻。 解： ①只掺入受主杂质为1016/cm3，查图表5.3此时锗中空穴迁移率为大约1200 ~ 1900 cm2 / V·s ②再掺入施主杂质，补偿后多数载流子为电子，浓度4x1016/cm3，而总的杂质浓度为6x1016/cm3，由总杂质浓度查5.3曲线可得此时电子迁移率大概为2900 ~3900 cm2 / V·s 通过掺杂可以显著改变载流子的迁移率，进而改变其导电特性 半导体电导率 半导体材料的电导率与载流子的浓度及迁移率有关 所以对于半导体的电导率 对n型半导体 则： 对p型半导体 对本征半导体 则： 则： 对比，欧姆定律微分形式： 在器件工作的非本征区： n 型，单一杂质： 补偿型： 补偿型： P 型，单一杂质： 可以通过测量电导率监控掺杂工艺