第二章 光学曝光技术课件(1).pptVIP

掩膜版上的参照标记 掩膜版的制备 通常采用电子束直写的方式把高分辨率的图形转印到掩膜版表面。 电子源产生的电子被加速并聚焦成形射到投影掩膜版上。电子束可以通过光栅扫描或矢量扫描的方式在掩膜版上形成图形。 掩膜版上的电子束胶在曝光显影后，通过湿法或干法刻蚀去掉不需要的铬层。 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版（reticle） 投影式光刻 ×1掩膜版（mask）制作 接触式、接近式光刻 掩膜版制作 掩模版制作过程：是一个微纳加工过程 12. Finished 掩膜版缺陷 掩膜版上的缺陷会被复制到光刻胶层中，从而进一步复制到硅片上。制造好的掩膜版要进行大量测试来检查缺陷和颗粒。 掩膜版缺陷的来源可能是掉铬，表面擦伤，静电放电或灰尘颗粒。 第二讲 光学曝光技术 光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 深紫外曝光技术 ?一般，436nm为G线，356nm的为I线，…。采用准分子激光器的深紫外曝光技术。 极紫外曝光技术? 极紫外是波长为13nm的光辐射。而其本质是一种软X射线。极紫外波长可被几乎所有材料吸收，故所有的光学系统包括掩模都必须是反射式的。 组成：①极紫外光源—等离子体激发和同步辐射源；②极紫外光学系统—利用多层膜反射镜，可提高反射率；③极紫外掩模—掩模基板和金属层；④极紫外光刻胶—更高灵敏度和分辨率。 X射线曝光技术? X射线是指波长在0.01~10nm间的电磁波谱，又可分为软硬两种。X射线不能被折射，故只能做成1∶1邻近式曝光，不可做成缩小式曝光，这样就加大了掩模的制造难度和成本。 第二章 光学曝光技术 光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 ⒈ 大数值孔径是高分辨率成像的必要条件 ⒉ 但增加数值孔径会受到焦深的影响和限制，过大的数值孔径会使焦深过小。 ⒊ 进一步增加数值孔径还受到光极化效应的影响——当数值孔径达到0.8以上时，光波通过透镜会被极化成s极和p极分量，在大入射角的情况下，s极分量会被反射，使得入射光的能量损失以及成像对比度下降。 k2 投影物镜的设计和加工难度增大 单轴和多轴设计方案 浸没式曝光 ln=1.0, DNA=0.93, lm?60 nm n=1.44, DNA=1.34, lm ?42 nm 增加数值孔径: 193 nm浸没式光刻技术已在2006年投入使用 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 当今高精度的浸没式步进扫描投影光刻机对浸没液体的选择相当苛刻，高折射率和高透射系数是最基本的要求。 一般地，使用水作为193nm光刻的浸没液体。 在曝光过程中，由于水中溶解的物质有可能沉积到投影物镜最后一个透镜的下表面或者光刻胶上，引起成像缺陷，而水中溶解的气体也有可能形成气泡，使光线发生散射和折射。因此，目前业界普遍使用价格便宜、简单易得的去离子和去气体的纯水作为第一代浸没式光刻机的浸没液体。 另外，还要考虑水层的厚度对扫描速度的影响。在500mm/s 的扫描速度下，水层的厚度应该控制在1~2mm。 第二章 光学曝光技术 光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 除了λ和NA外，提高分辨率的另一个方法就是改变??因子。?? 因子包含了透镜光学以外的因素，它的理论极限值是0.25。 这些技术统称为光学曝光分辨率增强技术。（7种） （1）离轴照明技术—有意将中 心轴部分的光遮住，这有利于衍 射光波的高次谐波分量通过透镜 成像到硅片表面上。主要有两种 方式：环形离轴照明和四级离轴 照明。该技术是一种最易实现， 成本最低的分辨率增强技术 （2）移相掩模技术(PSM, Phase Shifting Mask)——调制光波的相位来 改善成像的对比度和焦深。常见形式有：辅助式，交替式，周边式，无 铬式，衰减式。