第十三讲 光电二极管.pptVIP

1、原理与结构 为了提高PN结硅光电二极管的时间响应，消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间，常采用在P区与N区之间生成没有杂质的本征层(I型层)。 四、 PIN光电二极管 18 结构图 外形图 特点：(1) 时间响应快(2) 光谱响应向长波方向移动 (3) 输出线性范围宽。 不足：I层较厚，电阻大，输出电流较小。 四、 PIN光电二极管 电场分布 雪崩区 光吸收区 17 1、原理与结构 四、 PIN光电二极管 16 1、原理与结构 2、基本特性 (1)结电容 与激发面积和反向偏压有关。 反向偏压VR(V) 四、 PIN光电二极管 15 (2)电流-电压特性(伏安特性) E0无光照条件下，E1有光照射下，E2是增加光强的曲线 2、基本特性 四、 PIN光电二极管 14 下限由噪声决定，上限由感光面电极的结构决定。 (3)线性 为了使上限延伸，可通过增加反向偏压来实现。 入射光辐射通量(mw) GaAs PIN光电二极管的线性 入射光辐射通量(mw) InGaAS PIN光电二极管不同激活面积的线性曲线 2、基本特性 四、 PIN光电二极管 13 响应特性通常用上升时间或截止频率来表示，上升时间是指输出信号峰值从10%到90%的建立时间： tr=2.2Ct(RL+RS) (4)响应特性 Ct：封装电容和结电容Cj之之和；