√3 第三章 二极管及其基本电路.pptVIP

3.4.2 应用举例 2. 限幅电路 例3.4.4 (1) vI＜(Vth+ Vref)=3.5V (2) vI≥(Vth+ Vref)=3.5V 3.4.2 应用举例 3. 整流电路：半波整流 二极管：死区电压= 0 .5V，正向压降≈0.7V(硅D) 理想二极管：死区电压= 0V，正向压降= 0V 3.4.2 应用举例 4. 脉冲电路： ? 光电二极管 ? 发光二极管 3.5.1 稳压二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 光电子器件 ? 激光二极管 3.5.1 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 IZ IZmax ?UZ ?IZ U I UZ + 动态电阻： rz越小，稳压性能越好！ 越陡电压越稳定 稳压误差 3.5.1 稳压二极管 2. 主要参数 真加法器（反相） (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻 rZ 在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，所对应的反向工作电压。 =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 3.5.1 稳压二极管 3. 稳压特性 真加法器（反相） 正常稳压时 vO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加 R 可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，幅值大于VZ ， VO的波形怎样？ 3.5.3 光电子器件 1. 光电二极管 真加法器（反相） 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 3.5.3 光电子器件 2. 发光二极管LED 当有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前发光管可发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 真加法器（反相） 本章小结 ? 二极管具有单向导电特性，符号D，常作整流元件 ? D有三种模型：理想D、恒压源D、恒压源+电阻D ? 恒压源D：硅D正压降0.7V，反击穿压降随工艺而异 ? 恒压源+电阻D：恒压源D模型+动态电阻 ? 理想D：正向压降0V，反向压降无穷大 ? D动态电阻：偏置点斜率，小信号的电压：电流 ? 稳压D：利用D反向击穿特性稳压，工作电流有要求 ? 光敏D常用于光电型的检测，LED常用于照明 3.2.1 载流子的漂移与扩散 2. 扩散 基于载流子浓度差异和随机热运动的速度，载流子由高浓度区域向低浓度区域运动，称为“扩散”，从而形成扩散电流。若无外来超量载流子的注入或电场的作用，载流子浓度最终趋于均匀直至扩散电流为0。 3.2.2 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造 P 型半导体和 N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 3.2.2 PN 结的形成 P型半导体 N型半导体 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 3.2.2 PN 结的形成 P型半导体 N型半导体 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变 3.2.2 PN 结的形成 空间电荷区 N型区 P型区 电位V V0 3.2.2 PN 结的形成 1.空间电荷区中没有载流子。 2.空间电荷区中内电场阻碍 P 中的空穴、N 区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动） 3.P 区中的电子和 N 区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意: 0. 偏置的概念 3.2.3 PN 结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P 区加负、N 区加正电压。 3.2.3 PN 结的单向导电性 1. PN 结正向偏置 R E 内电场 外电场 变薄 内电场被削弱，多子的扩散加强并能够形成较大的扩散电流。 3.2.3 PN 结的单向导电性 1. PN 结正向偏置 PN结正偏时的导电情况 低电阻 大的正向扩散电流 PN结的正偏伏安特性 iD/mA UD/V 3.2.3 PN 结的单向导电性 2. PN 结反向偏置 变厚 内电场 外电场 内电场被加强，多子扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小反向电流。 R E 3.2.3 PN 结的单向导电性 2. PN 结反向偏置 高电阻 很小的反向漂移电流 PN结反偏时的导电情况 iD/mA UD/V 3.2.3 PN 结的单向导电性 2. PN 结反向偏置 高电阻 很