弛豫半导体的表征与应用研究进展-中国材料进展.pdf

第３７卷　 第 １１期 中国材料进展 Ｖｏｌ３７　 Ｎｏ１１ 　 ２０１８年 １１月 ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＣＨＩＮＡ Ｎｏｖ２０１８ 弛豫半导体的表征与应用研究进展 余竞一ꎬ 介万奇 (西北工业大学材料学院辐射探测材料与器件工信部重点实验室ꎬ 陕西 西安 ７１００７２) 摘　 要:介电弛豫时间大于载流子寿命的半导体为弛豫半导体ꎬ 反之为寿命半导体ꎮ 因为介电弛豫时间正比于电阻率ꎬ 所以弛 豫半导体一般为高阻半导体ꎬ 例如补偿半导体、 非晶半导体或低温下的半导体ꎮ 在弛豫半导体中ꎬ 由于材料恢复电中性的过程 慢于载流子浓度恢复质量作用定律的过程ꎬ 所以必须考虑空间电荷ꎬ 包括自由电荷和陷阱所带电荷ꎬ 对载流子输运的影响ꎮ 少 子注入会导致弛豫半导体多子耗尽、 寿命半导体多子增加ꎻ 中性注入会导致弛豫半导体电子空穴分离、 寿命半导体发生双极性 输运ꎮ 弛豫半导体的多子耗尽现象可用电流￣电压测试和交流响应测试进行表征ꎬ 发现其电流￣电压特性由低电压下的扩展线性区 和高电压下的超线性区构成ꎬ 且受陷阱浓度影响ꎮ 使用载流子动力学测试可直接观察到弛豫半导体中光注入电子和空穴的分离 现象ꎮ 弛豫半导体独特的电学性质在辐射探测器、 抗辐照器件、 光电导开关、 温度传感器等领域有广阔的应用价值ꎮ 关键词:弛豫半导体ꎻ 寿命半导体ꎻ 介电弛豫ꎻ 少子注入ꎻ 多子耗尽效应ꎻ 光生载流子分离ꎻ 双极性输运ꎻ 电流￣电压测试ꎻ 辐 射探测器 － － － 中图分类号: Ｏ４７３　 　 文献标识码: Ａ　 　 文章编号: １６７４ ３９６２(２０１８)１１ ０８４８ ０７ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｎ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＹＵＪｉｎｇｙｉꎬ ＪＩＥ Ｗａｎｑｉ (Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ＤｅｖｉｃｅｓꎬＭｉｎｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎ Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃａｌ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＸｉａｎ７１００７２ꎬＣｈｉｎａ) Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｉｓ ａ ｍａｔｅｒｉａｌ ｗｈｏｓｅ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｉｓ ｌａｒｇｅｒ ｔｈａｎ ｉｔｓ ｃａｒｒｉｅｒ ｌｉｆｅｔｉｍｅꎬ ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｃｏｎｔｒａｒｙ ｔｏ ｔｈｅ ｌｉｆｅｔｉｍｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ. Ｔｈｅ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｉｓ ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｔｏ ｔｈｅ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙꎬｔｈｅｒｅｆｏｒｅ ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ａｒｅｔｙｐｉｃａｌｌｙ ｈｉｇｈ￣ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｓｕｃｈ ａｓｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓꎬａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ￣ ｔｏｒｓ ａｎｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ａｔｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ.Ｉｎｔｈｅｒｅｌａｘａｔｉｏｎｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒꎬｄｕｅｔｏｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｔｏｒｅｃｏｖｅｒ ｃｈａｒｇｅｎｅｕｔｒａｌｉｔｙ ｉｓ ｓｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｔｈｅ ｍａｓｓ ａｃｔｉｏｎ