等离子体辅助化学气相沉积技术—姜帆.pptxVIP

等离子体辅助化学气相沉积技术 主讲人：姜帆 班级：金材1302 学号：2013000772 在低压化学气相沉积过程进行的同时，利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的技术称为等离子体辅助化学沉积（PECVD）技术。 技术原理： 等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。 PECVD装置的典型结构 在PECVD装置中，可以利用各种方法来产生所需要的等离子体。比如，二级直流辉光放电的方法、射频辉光发电方法、微波激发等离子体的方法等。下面，我们将依照产生等离子体的能量耦合方式，逐一介绍各种PECVD装置。 二级直流辉光放电PECVD装置 射频电容或电感耦合PECVD装置 由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而其等离子体的产生方法多采用射频方法。射频电场可采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合。 微波辅助PECVD装置 原理：使用波导或微波天线两种方式将微波能量耦合至CVD装置中的等离子体中。 使用的微波频率：2.45GHz（对应波长12cm） 缺点： 沉积温度低，沉积速率快，绕镀性好，薄膜与基体结合强度好； 设备操作维护简单； 用PCVD法调节工艺参数方便