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单晶硅中可能出现的各种缺陷分析 缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷Z屮， 冇着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷： 点缺陷：在品体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过儿个原子直径的缺陷。其在三维尺 寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，何被称为零维缺陷。 线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而们可以通过电镜等来对其进行观测。 而缺陷：而缺陷经常发牛在两个不同相的界面上，或者同一晶体内部不同晶畴Z间。界面两边都是周 期排列点阵结构，而在界面处则出现了格点的错位。我们口J以用光学显微镜观察面缺陷。 体缺陷：所谓体缺陷，是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则，比如包裹体、气泡、空 洞等。 一、点缺陷 点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。 1、空位、间隙原了 点缺陷包括热点缺陷（木征点缺陷）和朵质点缺陷（非木征点缺陷）。 1.1热点缺陷 其中热点缺陷有两种基本形式：则仑克尔缺陷和肖特基缺陷。单晶中空位和间隙原子在热平衡时的浓 度与温度有关。温度愈高，平衡浓度愈大。高温住长的硅单晶，在冷却过程小过饱和的间隙原子和空位要 消失，?其消失的途径是：空位和间隙原子和遇使复合消失；扩散到品体表血消失；或扩散到位错区消失并 引起位错攀移。间隙原子和空位目询尚无法观察。 1.2杂质点缺陷 A、替位杂质点缺陷，如硅晶体中的磷、硼、碳等杂质原子 B、间隙杂质点缺陷，如硅晶休屮的氧等 1.3点缺陷Z间相互作用 -个空位和一个间隙原子结合使空位和间隙原子同时湮灭（复合），两个空位形成双空位或空位团， 间隙原了聚成团，热点缺陷和杂质点缺陷相互作用形成复杂的点缺陷复合体等。 2、微缺陷 2.1产生原因 如果晶体牛长过程屮冷却速度较快，饱和热点缺陷聚集或者他们与杂质的络合物凝聚而成间隙型位错 环、位错环团及层错等。Cz硅单晶中的微缺陷，多数是各种形态的氧化物沉淀，它们是氧和碳等杂质，在 晶体冷却过程屮，通过均质成核和异质成核机理形成。 2.2微缺陷观察方法 1） 择优化学腐蚀： 择优化学腐蚀后在横断面上呈均匀分布或组成各种形态的宏观漩涡花纹（漩涡缺陷）。宏观上，为一 系列同心环或螺旋状的腐蚀图形，在显微镜下微缺陷的微观腐蚀形态为浅底腐蚀坑或腐蚀小丘（蝶形蚀坑）。 在硅单晶的纵剖而上，微缺陷通常呈层状分布。 2） 热氧化处理： 由于CZ硅单晶屮的微缺陷，具应力场太小，往往需热氧化处理，使微缺陷缀饰长人或转化为氧化层错 或小位错环后，才可用择优腐蚀方法显示。 3） 扫描电了显微技术，X射线形貌技术，红外显微技术等方法。 2.3微缺陷结构 直拉单品中微缺陷比较复杂。TEM观察到在原生直拉硅单品中，存在着问隙位错环，位错团和小的堆 跺层错等构成的微缺陷，以及板片状SiO2沉积物，退火Cz硅单晶屮的微缺陷为体层错、氧沉淀物及沉淀 物?位错?络合物等。 Cz硅屮的原牛缺陷分别是根据不同的测量方法而命名，有三种：1.使川激光散射层析摄影仪检测到的 红外(IR)散射中心(LSTD)； 2.经一号清洗液腐蚀后，在激光颗粒计数器下检测为微小颗粒的缺陷(COP)； 3. 流型缺陷(FPD),它是在Secco腐蚀液择优腐蚀后，用光学显微镜观察到的形如楔形或抛物线形的流动图 样的缺陷，在其端部存在有很小的腐蚀坑。控制CZ硅单晶屮原生缺陷的途径是选择合适的晶体生长参数和 原生品体的热历史。要调节的主要生长参数是拉速、固液界面的轴向温度梯度G(r)(含合适的v/G(r)比值)、 冷却速率等。另外通过适宜的追火处理町减少或消除原牛缺陷。 二、线缺陷 位错：包括螺位错和刃位错 1、 产生原因 籽晶中位错的延伸; 晶体牛长过程屮，固液界面附近落入不溶固态颗粒，引入位错； 温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更容易产生位错并增殖。 2、 位错形态及分布 择优化学腐蚀： 位错蚀坑在｛100｝面上呈方形，但其形态还少位错线走向、品向偏离度、腐蚀剂种类、腐蚀吋间、腐蚀 液的温度等因索有关。 硅单晶横断面位错蚀坑的宏观分布可能组态： A、 位错均匀分布 B、 位错排是位错蚀坑的某一边排列在一条直线上的一种位错纟R态，它是硅 单品在应力作用下，位错滑移、增殖和堆积的结果。位错排沿v0＞方向排列。 C、 星形结构式由一系列位错排沿＜笛0＞方向密集排列而成的。在｛100｝面上星形结构呈井字形组态。 红外显微镜和X射线形貌技术 3、无位错硅晶体的生长 1） 缩颈 2） 调节热场，选择合理的品体生长参数，维持稳定的固液界面形状 3） 防止不溶周态颗粒落入周液界面 三、面缺陷 面缺陷主要有同种晶休内的晶界，小角晶界，层错，以及异种晶体间的相界等。 平移界而：晶格屮的一部分沿着某一而网相对于另-?部分滑动（平移）。 堆跺层错