单结晶体管的使用问题.pdf

赛宝元器件可靠性技术资料——单结晶体管的使用问题 单结晶体管的使用问题 1.1 在第二基极 B 上串联 1 个限流电阻 ，限制单结管的峰值功率 2 2 1.2 电路中的 C 或 V （峰值电压）较大时，C 上应串联一个保护电阻，以保护发射极 B T P T 1 不受到电损伤 。 1.3 在某些应用中 ，用一只二极管与单结管的基极 B 或发射极 E 相串联 ，这样可改善温度 2 稳定性及减小电源电压变化的影响 。 1.4 单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差 ，不宜在辐照环境中使用。 单结晶体管的使用问题单结晶体管的使用问题 单结晶体管的使用问题单结晶体管的使用问题 单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路 或触发 SC 等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而 变化。 单结管又名双基极二极管，它作为振荡器的基本电路如图 2－5 所示。 图 2-5 单结管振荡器 为了提高使用可靠性，在使用过程中应注意以下问题： 1.1 在第二基极在第二基极 B 上串联上串联 1 个限流电阻个限流电阻 R ，限制单结管的峰值功率，限制单结管的峰值功率 在第二基极在第二基极 2 上串联上串联 个限流电阻个限流电阻 2，，限制单结管的峰值功率限制单结管的峰值功率 因为电路工作时，在 B 和 E 间常常表现出很大的峰值功率。 2 0.4 RBB 2 应满足： 2 ＝ ηV1 RBB 式中：V －电源电压 ; ＝ ＋ ; η ＝ 1 BB B1 B2 RB1 ＋RB2 E-mail: market@ Tel: 0755 Fax: 0755 ―1― 赛宝元器件可靠性技术资料——单结晶体管的使用问题 1.2 电路中的电路中的 C 或或 V （峰值电压（峰值电压）较大时）较大时 ，，C 上应串联一个保护电阻上应串联一个保护电阻，以保护，以保护 电路中的电路中的 T 或或 P （（峰值电压峰值电压））较大时较大时，， T 上应串联一个保护电阻上应串联一个保护电阻，，以保护以保护 发射极发射极 B 不受到电损伤不受到电损伤 。。 发射极发射极 1 不受到电损伤不受到电损伤 。。 例如：电容C 大于 10 μF 或 V 大于 30V 时就应适当串电阻，这个附加电阻的阻值至少应取 T P 每微法 C 串 1 Ω电阻。否则，较大的电容器放电电流会逐渐损伤单结管的 EB 结，使振荡器