半导体详解网络版.pptVIP

二极管制作详解 目录 半导体基础知识介绍 二极管的分类 晶粒制作工艺简介 焊接工艺原理 酸洗工艺原理 成型工艺原理 例行试验室工作流程图 半导体基础知识介绍(一) 什么是半导体 半导体是介于导体与绝缘体之间的一种材料，其电阻率为103-109欧姆厘米，而导体的电阻率为106-10-4欧姆厘米，绝缘体的电阻率为104欧姆厘米。 这种半导体材料主要是IV族材料(C、Si、Ge、Sn、Pb)中的Si、Ge，这是最常见的两种半导体材料，它的电导率有3个特点： 1) 一个是随温度的升高迅速变大。 2) 对杂质非常敏感，极少量的杂质掺入就会使其导电 性能迅速提高。 3) 光照可以改变电导率。 半导体基础知识介绍(二) 半导体的导电原理 Si结构 掺P 掺B 在绝对零度之下，Si的四价鍵束缚着其外层的四个电子，不会导电，但只要温度高于绝对零度，其外层电子由于运动就有机会获得一定能量脱离自身束缚而成为自由电子，而留下空穴，其它的自由电子在运动中也有机会填充空穴，这样电子和空穴的运动就构成了半导体的导电电流，这种未掺入任何杂质的导电电流我们称之为本征电流，其半导体我们称之为本征半导体。 半导体基础知识介绍(三) 半导体的P-N结 本征半导体掺入五价杂质原素(最常用的是磷)就会使其内的电子聚增，其导电电流就以电子为主，这种半导体叫N型半导体，本征半导体掺入三价杂质原素(最常用的是硼)就会造成空穴聚增，其导电电流就以空穴为主，这种半导体叫P型半导体，将P型与N型半导体连接在一起，在其介面处就形成我们通常所说的P-N结。 P-N结的特点是： 1) P-N结是一个高势垒区。 2) P-N结具有单向导电性，也就是整流特性。 3) P-N结具有开关特性。 半导体基础知识介绍(三) 半导体的P-N结 当给P-N结加一个同内电场同方向的电压时(P为正向)，高阻区增大，仅有一微小的导电电流Ir,而且该电流随外电压的增加并不变化，只有当增大到某一点时，P-N结发生雪崩击穿，电流突然增大，这一点就叫击穿电压，以VBR表示。 当给P-N结加一个同内电场相反方向的电压时，其高阻区减小，导电电流随外加电压的增加迅速增大，其曲线如图： 正向和反向构成的电流电压关系曲线就叫P-N结的特性曲线，这也是二极管的整流特性曲线。 半导体基础知识介绍(四) P-N结的隧道击穿 二极管的异常击穿 软击穿 低击穿 软击穿：无明显的击穿点。原因：表面污染，扩散杂质浓度不高，没有形成良好的P-N结，外延层的杂质补偿比较严重等。 低击穿：工艺缺陷造成，如局部毛刺，缺陷较多等。 半导体基础知识介绍(五) 二极管的异常击穿 管道形击穿 负阻 击穿 管道形击穿：第一次击穿发生后，电流上升缓慢，相当于大电阻，到电压上升后又发生第二次击穿，也是由于局部缺陷而引起。 负阻击穿：P-N结两端的电压在击穿后突然降到一个比VB小得多的读值，这也是一种局部击穿，有时又叫微离子体击穿。 曲线的嚅动 放电 曲线的嚅动：往往由于表面污染引起击穿后，引起表面状态的变化导致反向漏电流增大和击穿电压降低。 放电：酸洗不良造成。 RI和RO 材料：表面可动离子引起的效应。 二极管分类 以外形分 DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、R-1、A-405(RL)、SMA、SMB、SMC、DO-201AE、TO-220等。 以功率分 1A、1.5A、2A、3A、6A、8A、10A、15A等。 以功能分 整流作用叫整流二极管 检波二极管、开关二极管、变容二极管、稳压二极管、 保护器(TVS即日瞬态电压抑制器) 以制作工艺分 平面二极管、台面二极管、点接触二极管 晶粒制作工艺简介 一般流程： 拉单晶 切片