第三章作业答案(2010).pptVIP

20K: E(0.1) – E(0.9)=7.62 meV; kT=1.72 meV 200K: E(0.1) – E(0.9)=76.2 meV; kT=17.2 meV 与T无关 （1）画出20K、200K费米分布曲线；f=0.1 和 f=0.9间的能量差，并与相应的 kT值进行比较。 费米分布： f=0.269， 0.018， 9.12?10 ?4 玻尔兹曼分布： f=0.368, 0.018 , 9.12?10 ?4 （2）设E-EF 分别为 kT、4kT 、7kT ，用费米分布和玻尔兹曼分布分别计算分布几率，并对结果进行讨论。 或 （3）设导带 关系为 求出单位晶体体积态密度 . （4）设二维能带具有以下 关系: 。求单位面积的态密度 。 对于二维情况： 或 Si: Nc=2.82 ? 1019/cm3 Nv=1.14 ? 1019/cm3 ni=8.23 ? 109/cm3 GaAs: Nc=4.16 ? 1017/cm3 Nv=7.57 ? 1018/cm3 ni=2.44 ? 106/cm3 （5） 晶态Si和GaAs的电子、空穴状态密度有效质量分别为：mn=1.08 m0 , mp= 0.59 m0； mn=0.065 m0 , mp= 0