MOCVD生长GaN基蓝光LED外延片的研究.docVIP

LED外延片及知名生产企业介绍 外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石（Al2O3）和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 ??目前 \o LED外延片 LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 基本原理 Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料，其带隙宽度从1.9eV至6.2eV，覆盖了可见光及紫外光光谱的范围。GaN材料系列是一种理想的短波长发 \o 光器件 光器件材料，对GaN材料的研究与应用是当今全球 \o 半导体 半导体研究的前沿和热点，市场上的 \o 蓝光 蓝光及紫光LED都是采用GaN基材料生产出来的。GaN是极稳定的化合物和坚硬的高熔点材料，也是直接跃迁的宽带隙半导体料，不仅具有良好的物理和化学性质，而且具有电子饱和速率高、热导率好、禁带宽度大和介电常数小等特点和强的抗辐照? 能力，可用来制备稳定性能好、寿命长、耐腐蚀和耐高温的大 \o 功率 功率器件，目前广泛应用于 \o 光电 光电子、蓝光LED、紫光探测器、高温大功率器件和高频微波器件等光电器件。??? 制备高质量的GaN基材料和薄膜 \o 单晶 单晶材料，是研制和开发发光外延材料及器件性能的前提条件。目前市场上还没有哪家公司能生产两寸的高质量的GaN单晶衬底，即使有GaN单晶衬底，价格也相当的昂贵。现在大多数公司使用的衬底材料都是兰宝石（Al2O3），虽然它与GaN \o 晶格 晶格失配达13.8%，在兰宝石衬底上生长的GaN薄膜材料会有非常高的位错密度，但成本低、价格低廉，工艺也比较成熟，在高温下有良好的稳定性。????? \o MOCVD MOCVD工艺 ??????? 金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicCh \o emi emicalVaporDeposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物 \o 半导体 半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、 \o 光学 光学、化学、 \o 计算机 计算机多学科为一体，是一种 \o 自动化 自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端 \o 光电 光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 各个公司的MOCVD生产工艺各不相同。以Thomas Swan公司生产的立式CCS-MOCVD系统的工艺为例： 在低压（100Torr）下生长GaN，所用的衬底材料是蓝宝石（Al2O3），三甲基镓（TMG）、三甲基铟（TMIn）和蓝氨（NH3）分别作为Ga源、In源和N源，硅烷（SiH4）和Cp2Mg分别为n、p型掺杂剂，载气为高纯度的H2和N2。生长过程如下：首先，将蓝宝石衬底在H2的气氛下加热到1050℃，烘烤5分钟，再降温到530℃。用5000ml/m的氨气氮化60秒钟后再生长缓冲层，NH3和TMG的流量分别是5000ml/min和30μmol/min；生长出厚度为25nm的GaN缓冲层，升温使缓冲层重新结晶，生长Si掺杂的n-GaN 衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量比是引起InGaN/GaN MQW \o LED外延片 LED外延片性能的主要因素。如果处理好，对生长的外延片的性能包括晶体品质、正向电压、光强、反向漏电流、波长均匀性、FWHM等和芯片、器件的性能都非常大的改善和提高。 主要生产企业 　　 \o 日亚化工 日亚化工（株） ??????? 日亚化工是GaN系的开拓者，在 \o LED LED和 \o 激光 激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企业。它以蓝色LED的开发而闻名于全球，与此同时，它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70％的比例，在全球则占据36％的市场份额。荧光粉除了灯具专用的以外，还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型，这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基础。除此以外，日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品，广泛地涉足于光的各个领域。 ???????? 在该公司LED的生产当中，70％是白色LED，主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外，该公司是世界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础，日亚化工不断开发出新产品，特别是在SMD（表面封装）型的高能LED方面，新品层出不穷。 ??????? 2004年10月，日亚化工开发出了发 \o 光效 光效率为50l