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第五章 物理气相淀积 内容 概述 真空技术 蒸发 溅射 薄膜淀积机理 概述 形成薄膜技术：薄膜生长技术、薄膜淀积技术 薄膜生长技术：专指衬底材料也是形成薄膜的元素之一，（如硅的热氧化生长二氧化硅） 薄膜淀积技术：薄膜形成过程中不消耗晶片或衬底材料， 薄膜淀积技术一般可分为两类： 化学气相淀积（CVD）：利用化学反应生成所需的薄膜材料，常用于各种介质材料和半导体材料的淀积，如二氧化硅、多晶硅、氮化硅等，但是随着CVD技术的发展，其应用范围逐渐扩大。 物理气相淀积（PVD）：利用物理机制制备所需薄膜材料，常用于金属薄膜的制备淀积，包括蒸发和溅射等。 真空知识 微电子工艺中所用的真空技术： 气体分子的质量输运机制：低压CVD 等离子体产生机制：溅射、等离子体增强CVD、反应离子刻蚀 无污染的加工环境：蒸发、分子束外延 气体分子的长程输运：离子注入 真空基础知识 真空：低于一个大气压的气体空间，和正常的大气相比是比较稀薄的气体状态。 标准大气压：在温度为20℃，相对湿度为60％时的大气压强，1 atm＝ 101325Pa＝1013.25mbar＝760torr， 压强单位： 帕斯卡(Pa)：国际单位制压强单位，1Pa=1N/m2 标准大气压（atm）：1 atm＝ 101325Pa 乇(Torr)： 1torr＝ 1 /760atm＝ 1mmHg 毫