第四章IC版图设计1.pptVIP

练习 CMOS与非门 练习 CMOS与非门 作业：或非门的版图设计 电路 作业：或非门的版图设计 请画出或非门的版图？ （4）衬底PNP管( 纵向PNP管，Substrate PNP Transistor) 纵向衬底PNP管的构成：利用P型衬底作为集电区，集电极从PN结隔离槽上方引出，N型外延层作为基区，而发射区是在做纵向NPN管基区扩散时同时形成，构成了纵向PNP结构，如图所示。 注入的空穴流 集成电路中的PNP管 (Lateral PNP Transistor) （4）衬底PNP管( 纵向PNP管，Substrate PNP Transistor) 对于PN结隔离的集成电路，为达到隔离目的，其PN隔离结必须处于反偏，因此P型衬底就必须接到整个电路的最负的电位上。但由于P型衬底是衬底PNP晶体管的集电区，结果在集成电路中，只有允许集电极接全电路最负电位的PNP管才能采用这种管子，所以其用途具有局限性，主要用作集成运放、功率放大器等中的互补输出级的PNP管。 衬底PNP管利用外延层作为基区，所以基区宽度较大，因而电流放大系数和频率特性也是不尽理想，β一般在10～30范围，比横向PNP管略大，特征频率fT约为10MHz以上，比横向PNP管稍好，但比纵向NPN管差 集成电路中的PNP