第8章软开关技术(《电力电子技术》课件).pptVIP

第8章 软开关技术 8.1 软开关的基本概念 8.2 基本软开关电路 第8章 软开关技术 在前面的章节中，对电路的分析是建立在理想化的基础上，尤其将开关器件视为理想开关，认为开关过程瞬间完成。这种分析方法便于理解电路的工作原理，但是，实际电路的开关过程是客观存在的，在很多情况下会对电路造成重要的影响。针对这种影响出现了软开关技术，它利用谐振的思想，减少了电力电子电路中的开关损耗和开关噪声，从而得到了广泛的应用。 本章首先介绍软开关的基本概念及其分类，然后详细分析几种典型的软开关电路。 本章要求掌握软开关的基本特性和类型，熟悉基本软开关电路的工作情况。 8.1 软开关的基本概念 8.1.1 硬开关的局限性 8.1.2 软开关及其特点 8.1.3 软开关的分类 8.1 软开关的基本概念 电力电子电路处理电能有两种不同的方式：一是硬开关电路，所谓硬开关电路指的是，电路中的开关器件，是在电压和电流均不为零的情况下开通和关断，引起很大的损耗。二是软开关电路，所谓软开关电路是指，电路中的开关器件，是在电流(或电压)变为零的情况下开通和关断，从而使开关器件的功耗大大降低。 本节主要介绍几种软开关电路及其特点。 8.1.1 硬开关的局限性 1. 热学限制 在容性开通和感性关断情况下，电力电子器件将承受很大的动态功耗。一般地，一个开关周期内器件的平均开关损耗将占到总平均损耗的?30%～40%，同时这种损耗随开关频率的提高而增大。过大的开关损耗将使得器件结温上升，结温的升高制约了开关频率的提高。 8.1.1 硬开关的局限性 2. 二次击穿限制 在软、硬开关的开关过程中，GTR的开关轨迹如图8.1所示。由图可知，GTR承受的电流、电压会出现同时为最大值的情况，这时的电流和电压已经远远超出GTR的安全工作区。 8.1.1 硬开关的局限性 3. 电磁干扰限制 在高频状态下运行时，电力电子器件本身的极间电容将成为极为重要的参数。尤其对MOSFET来说，因为其门极采用了绝缘栅结构，它的极间电容较大，因此引起的开关能量损耗和密勒效应更为严重。 8.1.1 硬开关的局限性 4. 缓冲电路的限制 在PWM硬性开关应用中，往往通过加入串联或(和)并联缓冲电路，以限制器件开通时的di/dt和关断时的du/dt，从而使器件的动态开关轨迹处于直流安全工作区域之内，以保证开关器件的安全运行。但是，这种方法将使开关期间的开关损耗转移到缓冲电路之中，最终还是被白白地消耗掉，系统总的功耗不会减小。较高的工作频率和较大容量的开关器件会出现很可观的内部功率损耗。这种做法使系统的效率难以提高，因此工作频率也难以提高。此外，组成缓冲电路的器件又有一定的特殊性，因此给制造和使用带来不便。由于种种限制，PWM硬性开关电路在高频运行时的局限性很大。 8.1.2 软开关及其特点 软开关是由电力电子开关器件S及辅助谐振元件Lr和Cr组成的子电路，如图8.3所示。图8.3(a)为零电流开关(ZCS)，也称为电流型开关。 图8.3(b)为零电压开关(ZVS)，也称为电压型开关。 8.1.3 软开关的分类 1. 准谐振电路 8.1.3 软开关的分类 2. 零开关PWM电路 8.1.3 软开关的分类 3. 零转换PWM电路 8.2 基本软开关电路 8.2.1 ZVS准谐振变换电路 8.2.2 ZCS准谐振变换电路 8.2.3 ZVS PWM变换电路 8.2.4 ZCS PWM变换电路 8.2.1 ZVS准谐振变换电路 8.2.1 ZVS准谐振变换电路 8.2.1 ZVS准谐振变换电路 (1) t0~t1期间(模式1) t0时刻之前，开关S处于导通状态，二极管VD处于关断状态，uC=0；当t=t0时，开关S关断，因电容Cr的存在，开关S上承受的电压不能突变，只能缓慢地从零上升至电源电压UD(发生在t=t1时刻)，因此开关S的关断损耗减小。由此可以看出，开关S具备零电压关断条件。 (2) t1~t2期间(模式2) 在t1之后，因为uC大于UD，二极管VD正向导通。一方面，滤波电感经二极管VD续流；另一方面，电流经Lr，Cr，UD，VD构成谐振回路，发生串联谐振。iL不断下降，uC不断上升，在处，iL下降为0，uC上升到谐振峰值电压。之后，iL反向，uC不断下降，iL反向不断增加，在处，Lr两端电压为零，uC下降至UD，iL上升至反向谐振峰值电流–IO。当t=t2时，由于二极管Vr开始呈导通状态，电容Cr上电压uC被钳位为零，而不会呈现反向电压。 8.2.1 ZVS准谐振变换电路 (3) t2~t3期间(模式3) 在t2之后，反向电流iL经二极管Vr流通，谐振电容电压uC被二极管Vr钳位至零。反并联二极管Vr一旦导通，即可将控