光电式传感器3.pptVIP

 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列。在P型或N型硅衬底上生长一层很薄（约120nm）的二氧化硅，再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片。 MOS电容器和一般电容器不同的是，其下极板不是一般导体而是半导体。假定所用半导体是P型硅，其中多数载流子是空穴，少数载流子是电子。若在栅极上加正电压，衬底接地，则带正电的空穴被排斥离开Si-SiO2界面，带负电的电子被吸引到紧靠Si-SiO2界面。当电压高到一定值，形成对电子而言的所谓势阱，电子一旦进入就不能复出。电压愈高，产生的势阱愈深。可见MOS电容器具有存储电荷的功能。如果衬底是N型硅，则在电极上加负电压，可达到同样目的。 CCD的信号是电荷, 那么信号电荷是怎样产生的呢？当光照射到光敏元上时，会产生电子-空穴对（光生电荷），电子被吸引存储在势阱中。入射光强则光生电荷多，弱则光生电荷少，无光照的光敏元则无光生电荷。这样就在转移栅实行转移前，把光的强弱变成与其成比例的电荷的数量，实现了光电转换。若停止光照，电荷在一定时间内也不会损失，可实现对光照的记忆。 与非门：与上图输出不同，从集电极输出。在输入端A和B同时为高电平，则