先进半导体敏感材料.ppt

5.4 化合物半导体材料 化合物 晶体结构 带隙 ni un up GaAs 闪锌矿 1.42 1.3×106 8500 320 GaP 闪锌矿 2.27 150 120 GaN 纤锌矿 3.4 900 10 InAs 闪锌矿 0.35 8.1×1014 3300 450 InP 闪锌矿 1.35 6.9×107 5400 150 InN 纤锌矿 2.05 4400 AlN 纤锌矿 6.24 300 14 * 5.5 金刚石 金刚石也是一种重要的宽带隙半导体材料，与SiC、GaN一样，作为大功率半导体材料日益受到重视。已经采用金刚石薄膜研制成功肖特基势垒二极管和MESFET ，其主要性能为： 最小欧姆接触电阻10-7Ω/CM2; 最大整流比（肖特基二极管）为107; 最大击穿场强3×106 V/cm/ MESFET 最大跨导0.22mS/mm, 漏电流nA级； 最大工作温度350℃，最高工作电压100V。 * 天然金刚石稀少而昂贵，人工合成金刚石晶体颗粒小，一般制作金刚石器件是采用CVD金刚石薄膜。 金刚石器件研制需解决以下问题： 难以制