第六章电阻版图设计.pptVIP

1080 910 80/10 HPoly2_1 13% 62 55 48 Poly2 23% 23 19 15 Poly1 9% 185 170 155 P+ 8% 70 65 60 N+ 10% 1100 1000 900 N阱 Max Typ Min Max Typ Min 偏差 偏差 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 温度变化 温度系数 TCR ppm/℃ +3800 +4000 +3700 +1500 +600 +2500 +3000 -1000 +1000 +6000 材料 铝（块状） 铜（块状） 金（块状） 160Ω /基区扩散 7Ω /发射区扩散 5KΩ /基区收缩扩散 2KΩ /高值薄膜电阻（P 型） 500Ω /多晶硅电阻（4KA N型） 25Ω/□多晶硅电阻（4KA N 型） 10KΩ /N阱 电阻阻值变化 几种材料在25℃时的典型温度系数 Copyright by Mo Bing 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 电阻阻值变化 非线性 多晶电阻制作于场氧上方，场氧在多晶和衬底之间起 绝缘作用，散热性差，所以多晶电阻容易受自加热的影 响。 使用多晶电阻时绘制长度不能太短，减小多晶晶粒非 线性的影响。 --- 200 90 0 P + Cont --- 100