模拟电子技术 工业和信息化普通高等教育十二五 规划教材立项项目 教学课件 作者 陈永强 魏金成 吴昌东 示范课-模电-[09]MOSFET.pptVIP

[09] MOSFET 电气信息学院 陈 永 强 一二年四月制 学习重点 FET的分类 MOSFET的结构 MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 MOSFET的主要参数 引入 － BJT的工作特点 引入 － FET的工作特点 引入 － FET的外观 引入 － FET的外观 引入 － FET的分类 引入 － MOSFET的类型 一、NMOS增强型－结构 二、工作原理－建立沟道 二、工作原理－建立电流iD 二、工作原理－夹断状态 二、工作原理－夹断状态 二、特性曲线－转移特性 二、特性曲线－转移特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 二、特性曲线－输出特性 三、NMOS耗尽型－结构 三、NMOS耗尽型－转移特性 三、NMOS耗尽型－输出特性 三、NMOS－转移特性对比 三、NMOS－输出特性对比 四、MOSFET主要参数 结束 欢迎大家访问课程网站： 西华大学.课程中心.电子技术 参与课程互动！ ? ? ? ? ? BJT（三极管）是一种电流控器件 FET（场效应管）是一种电压控器件 g d s MOSFET：金属-氧化物-半导体场效应管也称为：绝缘栅场效应管 JFET：结型场效应管 P型硅衬底 N N 氧化层 耗尽层 栅极g 漏极d 源极s 衬底 g d s （开启电压） 驱动形成漏极电流 使靠近漏极的沟道变薄 越大，沟道越薄 ? ? ? 时，沟道 靠漏极处夹断。 夹断条件： ? 一定时 一定 一定 d s 沟道夹断 趋于饱和 N _ + N _ + _ + Ⅰ区:截止区 Ⅱ区:可变电阻区 Ⅲ区:饱和区 Ⅰ区:截止区 Ⅱ区:可变电阻区 Ⅲ区:饱和区 Ⅰ区:截止区 Ⅱ区:可变电阻区 Ⅲ区:饱和区 放大区恒流区 夹断电压 饱和电流 ? ? 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.4 沟道长度调制效应（了解） 电气信息学院.电工电子教学部