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使用 FACT 光谱谱图解析软件对复杂样品进
行实时光谱校正
技术概述
5110 ICP-OES
前言
理想情况下,ICP-OES 仪器应该具有无限的光谱分辨率,无论什么样的样品,各
个元素的最灵敏发射谱线都不受光谱干扰。对于复杂的样品基质来说,这样的情
况常常不大可能,但是,安捷伦专利的快速自动曲线拟合技术 (FACT) 却将这理
想变成了现实。它采用了一种高度复杂却又易于使用的光谱建模技术对 ICP-OES
分析棘手样品时经常遇到的复杂分析光谱进行准确建模。
FACT 的优势在于它能够准确校正分析物波长附近的强重叠峰。在采集分析数据
之前或之后都可以创建 FACT 模型,过程非常简单,您可信心十足地应对任何挑
战性样品。有了 FACT ,无需对样品做更多的处理,无需重新分析样品,也无需
因在含有大量错误数据的分析结果中寻找正确数据而感到心烦意乱,可大大节省
您的宝贵时间。
与干扰元素校正 相比, 的使用更简单,功能也 图 的例子示出了针对主要的镉 发射谱线构建
(IEC) FACT 1 214.439 nm
更强大。它还可准确校正背景,尤其适用于处理极为复杂 的模型,该谱线受不太灵敏的 214.445 nm 铁发射谱线的部
的背景结构(传统的背景校正技术对此往往束手无策)。 分干扰。在分析土壤样品时经常会出现这样的情况,由于
存在高浓度的铁,所以很难准确测定痕量的镉。
FACT 的工作原理
a
FACT 通过使用高级光谱建模技术提供实时光谱校正,以数
学方式从原始光谱中解析(即分离)分析物信号。通过分
别测定预期组分以及各自的响应来建模。通常需测定如下
溶液:
1. 空白溶液
2. 纯分析物溶液
3. 纯干扰物溶液 b
对每个光谱组分模型进行分析并拟合为高斯曲线,以获得该
谱峰的数学描述。检验剩余结构的残差,如果残差足够大,
将其拟合至其他高斯分布中。模型可表示为高斯峰与相对
小的残差之和。通过在波长范围内监测 根等离子体发射
6
谱线,可计算出在模型创建与分析应用之间可能出现的小的
波长偏移或漂移。这样可以长期保持模型的波长准确性。
图 1. a) 10 mg/L 镉分析物溶液的 FACT 模型。b) 10000 mg/L 铁干扰物溶液的
与 IEC 不同,采用 FACT 无需知道各溶液中分析物和干扰 FACT 模型
物的浓度。溶液浓度只要足够高,就能轻松将其从背景中
一旦创建好了模型,所有样品的结果会随即更新。每个分
区分开(通常是检测限的 50 倍)。
析物最多可应用 7 个干扰模型,而且所有的模型都可以在
不同方法间转移以备日后分析使用。
2
峰间距 1 pm a
ICP-OES 的光学分辨率可通过光学系统的物理属性来表征,
并被定义为半峰全宽 (FWHM) 。它指的是分析物峰信号强
度一半处的峰宽度。图 中, 和 峰间的距离大约为
2 Cd Fe
6 pm ,ICP-OES 光学系统一般很难完全将它们分开。在图 2
的例子中,FACT 能够通过数学方式分开这两个峰,精密度
和准确度 2% RSD 。即使峰间距仅为 0.6 pm 时,FACT
仍能准确测定分析物浓度,精密度 5% RSD ,证明它将仪
器的光
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