第二章导电性能.pptVIP

p型半导体能级图 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 EA。当空穴 获得较小的能量DEA之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为 导电空穴。因此，受主能级位于靠近价带EV的禁带中。 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 电子能量 化合物半导体 二元化合物半导体： 砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb） 三元化合物半导体 GaAsAl、GaAsP 陶瓷半导体 ZnO、TiO2、Cu2O 温度的影响 第一段 施主造成的电导率 第二段 施主耗尽区，σ几乎不变 第三段 本征半导体的电导率 两个比较 本征半导体 VS. 非本征半导体 p型半导体 VS. n型半导体 3.3.3 质量作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子 在热平衡的条件下，对于（非）本征半导体，两种载流子的乘积总等于一个常数： 质量作用定律 一定温度下，电子和空穴的浓度乘积只与材料类型有关，而与是否掺杂无关。带隙越小，乘积越大。 本征或非本征半导体，质量作用定律同样适用 3.3.4 p-n结 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动 2. 内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 U 电势 n型 p型 n型 p型 耗尽层 p