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式中：N——扫过CCD视场的刻线数； N′——光栅相邻两刻线间对应的线阵CCD像素数； M′——后续电路或计算机软件对信号进行的插值细分数； S——位移脉冲当量,即单位脉冲信号代表的光栅相对位移量。 7.3.4 光栅传感器的误差 单件光栅的误差是由刻划工艺和刻划设备决定的。计量光栅大多数是在构成莫尔条纹的情况下使用。由于莫尔条纹的平均误差作用,使局部刻划误差的影响大大减小。 设光电接收元件所覆盖的光栅刻线总数为N,单个栅距误差为δ,则可利用式(7.3)粗略地描述平均误差与单个栅距误差之间的关系。 因为常用栅距w为0.05～0.01mm,若取光电池尺寸为10 mm,则  平均误差Δ为  因此,其平均误差Δ很小。实际上莫尔条纹变化一周,只移动一个栅距,也就是在200～1000条刻线中只改变了一条刻线,因此单个栅距误差的影响实际上比式（7.3）的还小。 长光栅栅距误差一般水平为微米（μm）数量级,圆光栅为秒（″）数量级。 7.4 常用光学系统 7.4.1 透射直读式光路 将图7.4中光电元件5采用四极硅光电池作为光电转换元件,就构成四细分直读式分光系统。把形成的横向莫尔条纹宽度B调整到等于四极硅光电池的宽度S（见图7.4(c)）,这样莫尔条纹变化一个条纹宽度B,四极硅光电池依次就输出四路相位依次相差π／2的电信号（如图7.