半导体量子点激光器研究进展3.pdf

评 述 半导体量子点激光器研究进展3 王 占 国 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学实验室 北京 摘 要 首先简要地回顾了半导体激光器发展的历史和量子点激光器所特有的优异性能 进而介绍半导体量子点 及其三维量子点阵列的制备技术 然后分别讨论了量子点激光器 能带 结构设计思想 实现基态激射所必须具备的条 件和近年来国内外半导体量子点激光器的研究进展最后分析讨论了量子点激光器研制中存在的问题和发展趋势 关键词 应变自组装量子点 量子点激光器 ΣΕΜΙΧΟΝΔΥΧΤΟΡ ΥΑΝΤΥΜΔΟΤΛΑΣΕΡΣ Θ •2∏ (Λαβορατορ ο ΣεμιχονδυχτορΜατεριαλσΣχιενχε,Ινστιτυτεο Σεμιχονδυχτορσ,Χηινεσε Αχαδεμ ο Σχιενχεσ,Βειιν ) ψ φ φ ψ φ ϕ γ Αβστραχτ × ∏ ∏∏±⁄∏ √× ∏ ∏±⁄22 ±⁄∂∏ ∏∏ √ ∏±⁄ ¬ √∏ ƒ √ ±⁄∏∏ ∏ Κε ωορδσ 2 ∏∏ ∏∏ ψ 量子阱激光器±•⁄的研制成功 ≈ 这是半导体激光器发展历史上又一个里程碑 具有 引言 更重要的意义载流子受到一维量子限制的 ±•⁄ 年第一个砷化镓 同质 结激光器 与双异质结激光器相比 具有更低的阈值电流密度 和 对温度依赖的不敏感以及窄的增益谱 在 实现受激辐射 开辟了半导体激光器 的 ϑ ϑ ⁄ 等 因而受到广泛重视 大大加快了半导体激光器 新时代 它与几乎同时发明的光导纤维技术一