GTR器件与IGBT器件之间的区别.doc

现在，多数变频器采用IGBT器件，而老的变频器用的是GTR器件，请问它们之间的区别是什么？该怎样识别变频器采用的是IGBT还是GTR？ 答：变频技术是建立在现代电力电子技术基础之上的。20世纪90年代之前，通用变频器采用的功率器件主要是大功率晶体管（GTR，即 Giant Transistor ),也称巨型晶体管。这是一种达林顿结构、靠基极电流驱动的功率开关器件，器件的额定电流越大，所需驱动的电流也越大。90年代之后，绝缘栅双极型晶体管（IGBT即insulated TATE Bipolar Transistor)以及智能功率模块（IPM）问世。这是一种电压控制型（开通电压为+15v、关断电压为-5v~-10v）、集GTR的低饱和电压特性和MOSFET的高频开关特性与一体的功率器件。显然，IGBT的应用使变频器的性能有了很大的提高，变频器朝着损耗更低、开关速度更快、体积更小等方面发展。 采用IGBT的变频器的特点有： IGBT开关器件发热减小，将曾经占变频器主回路发热量50%~70%的器件发热量降低了30%以上； 高载波控制，使输出电流波形有明显改善； 开关频率提高，可达20KHz实现了电动机运行的静音化； 驱动功率小，使变频器体积更小。 要识别GTR和IGBT变频器，可通过品牌及型号进行查询，在确认的同时还可以了解其各种参数；也可以从模块上的记号初步判别，GTR的控制极（尺寸较小的极）通常用B来表示，而IGBT的控制极往往用G来表示。当然，还可以通过指针式万用表测量它们的控制极电阻来加以区别。由于IGBT的G-E只存在结电容，所以电阻值为无穷大；而GTR的B-E和B-C为PN结构，一般说来，能测出不同的正反向电阻值（注意：R×1 R×10 R×100对于多级达林顿GTR测量会有些困难）。