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第46卷 第2期 激 光 与 红 外 Vol.46,No.2
2016年2月 LASER & INFRARED January,2016
文章编号:10015078(2016)02022505 ·电子电路 ·
双色大面阵量子阱红外探测器读出电路设计
于 艳,谭 振,宁 玮
(华北光电技术研究所,北京 100015)
摘 要:以双色量子阱640×512读出电路的设计为例阐述大面阵读出电路的设计要点,分模
块详细说明了设计思路和具体电路结构,给出了电路仿真结果和实测结果,最后从电路、版图
的角度分析了双波段大规格读出电路的一些设计要点。
关键词:双色;量子阱;读出电路;大面阵
中图分类号:TN214 文献标识码:A DOI:10.3969/j.issn.10015078.2016.02.020
DesignofdualbandlargeformatQWIPROIC
YUYan,TANZhen,NINGWei
(NorthChinaResearchInstituteofElectrooptics,Beijing100015,China)
Abstract:ThekeydesignpointsoflargeformatreadoutcircuitaredescribedwithdualbandQWIP640×512ROIC
designasanexampleThedesignideaandspecificcircuitconfigurationareexplainedindetailThesimulationresults
andtestresultsaregivenFinally,somekeydesignpointsofdualbandlargeformatROICareanalyzedfrompointof
viewofcircuitandlayout
Keywords:dualband;QWIP;ROIC;largeformat
1 引 言 详细说明了设计思路和具体电路结构,给出了电路
在过去的很长时间里,以光伏探测器材料如碲 仿真结果和实测结果,最后从电路、版图的角度分析
镉汞和锑化铟为基础的第二代红外焦平面技术获得 了双波段大规格读出电路的一些设计要点。
了快速发展。而基于量子限制效应导致的子带间跃 2 双色量子阱红外探测器读出电路设计
迁原理的量子阱红外探测器是一种新型的器件[1]。 21 双色nin量子阱红外探测器结构
量子阱红外探测器相对碲镉汞红外探测器而言由于 器件结构采用n-i-n的生长方式,首先生长
15 m的高 Al组分的AlGa As腐蚀停止层和
工艺复杂度低、光谱响应带宽窄、不同波段之间的光 μ x 1-x
10m的n型掺杂的下电极欧姆接触层,然后生长
学串音小,因此特别适宜制备双色、多色及高均匀性 μ
30个周期的InGa As/GaAs/AlGa As中波红
大规模焦平面探测器。与碲镉汞红外探测器相比, x 1-x x 1-x
外(MWIR)多量子阱,再生长05 m的n型掺杂的
它具有波长连
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