第三章第一节场效应管.pptVIP

第三章 场效应管 前言 场效应管(FET)是另一种具有正向受控作用的半导体器件，分MOS场效应管(MOSFET)与结型场效应管(JFET)两种类型。MOSFET与JFET工作原理类似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之外仅在于导电沟道形成的原理不同。由于场效应管只有多子参与导电，故常称为单极型器件，相应地，将晶体三极管称为双极型器件。 学习本章时，要时刻将声效应管与晶体三极管相对照，这样不仅可以加深对FET工作原理、模型及分析方法的理解，而且还可以找出它们的异同点，便于掌握。 当负值衬底电压VUS 衬底中的空间电荷区向底部扩展 空间电荷区的负离子数增多 由于VGS不变 导电沟道中自由电子减少 沟道电阻增大 A N D P N P G S VGS VDS U VUS ID 减小 VGS(V) ID(mA) VUS = 0 -4V -2V 5.5V 0 VGS(V) ID(mA) VUS = 0 VUS=-4V VUS=-2V 0 4、P 沟道EMOS场效应管 电路符号 G D U S 源极 漏极 栅极 衬底 P D N P N G S VGS VDS （1）、非饱和区： （2）、饱和区： （3）、截止区： （4）、衬底电压 即为正值。 二、耗尽型MOS场效应管（DMOS） 结构示意图