第4章 存储器电路.ppt

铁电性的概念 　　 在一些电介质晶体中，晶胞的结构使正负电荷重心不重合而出现电偶极矩，产生不等于零的电极化强度，使晶体具有自发极化，晶体的这种性质叫铁电性（ferroelectricity）。 　　 与铁磁体的磁滞回线形状类似,所以人们把这类晶体称为铁电体(其实晶体中并不含有铁) 铁电存储器技术 铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置在CMOS基层上，置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。所有这些发展使铁电存储器在人们日常生活的各个领域广为应用，例如办公室复印机、高档服务器、汽车安全气囊和娱乐设施等。 3.4.2　F-RAM存储器FM18L08在S3C2440系统中的应用 1．FM18L08的特点 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存储容量为32k×8位的并行F-RAM，与BBSRAM模块不同，它是一款真正的非易失性存储器，拥有快速读/写功能，没有电池后备或其他混合内存解决方案的缺点。这些特性使得FM1808对于某些要求以字节宽度进行快速频繁写操作的非易失性应用场合非常理想，先进的设计工艺保证在工业温度范围为-40～+85℃的环境下安全工作。 （1）256k位铁电非易失性随机存储器。 结构容量为32768×8位。 无限次读写次数。 掉电数据保持10年。 写数据无延时。 先进的铁电制造工艺。 （2）相对于 BBSRAM模块的优势。 没有电池产生的不良因素。 单片集成电路可靠性高。 真正的表面贴装解决方案。 优异的抗负脉冲能力。 （3）与SRAM和E2PROM兼容。 JEDEC 32k×8 SRAM E2PROM 脚位。 70 ns 存储时间。 140 ns周期时间。 （4）低功耗操作。 工作电压：单电源3.0V至 3.65V供电。 工作电流：15mA。 待机电流：15mA。 （5）工业标准。 工业温度为-40～+85℃。 28-pin SOIC或者DIP。 图5-14 SD和MMC接口电路 小 结 二、读取和写入速度 SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相 匹配的控制芯片技术上已经非常成熟，SLC产品数据写入速度最快能达到9664KB/s（ KISS KS900），读取速度最快能达到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700）， 而同样在高速USB2.0接口协议下写入速度最慢的还不足1500KB/s，读取速度最慢的也没有超过2000KB/s。都是SLC闪存芯片，都是高速 USB2.0接口协议，为什么差别会如此大。一位业内资深设计师的答案是闪存控制芯片效能低，且与闪存之间的兼容性不好，这类产品不仅速 度慢而且在数据操作时出错的概率也大。这个问题在MLC闪存刚投入市场时同样也困扰着MLC技术的发展，好在去年12月我们终于看到了曙光。这就是擎泰科 技（Skymedi Corporation）为我们带来的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪 记忆卡控制芯片SK6621，在MLC NAND闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。其所支持的MLC芯片已经达到了Class4的传输速度。 三、功耗 　 SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存 放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。最近传来好消息，英特尔新推出的65纳米MLC写入速 度较以前产品提升了二倍，而工作电压仅为1.8V，并且凭借低功耗和深层关机模式，其电池使用时间也得到了延长。 四、出错率 在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样， 只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例）， 这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制 四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更 高的要求。目前一些MP3主控制芯片已经采用了硬件4bit ECC校验，这样就可以使MLC的出错率和对机器性能的影响减小到最低。 五、制造成本 为什么硬盘容量在成倍增大的同时生产成本却能保