第三章第二节场效应管.pptVIP

第二节 结型场效应管 * * 一、结构 N P P G栅极 S源极 D漏极 N沟道结型场效应管（JFET）示意图 电路符号 D漏极 G栅极 S源极 P沟道结型场效应管（JFET）示意图 P N N G栅极 S源极 D漏极 电路符号 D漏极 G栅极 S源极 二、工作原理 以N沟道JFET管为例 VGS N P P G S D 1、当 VDS = 0 时，VGS 对ID 的控制作用： S VGS N P P G D 当 时，沟道被完全夹断，VGS 所对应的电压VGS(off) 称为夹断电压。 继续增大VGS电压，沟道继续变窄，直到消失。此时，所对应的电压为VGS(off)。 VGS N P P G S D 此时，ID = 0 2、当 VGS = 0 ，或为一定值时，VDS 0 ，对 ID 的作用。 VDS N P P G S D B G A B G A VDS N P P G S D 三、伏安特性 VGS(off)=-2V ID/mA VDS/V VGS=-1V VGS=-0.5V VGS=0 VGS=-1.5V 0 VDS = VGS- VGS(off) 1、非饱和区： 由 限定的工作区。 漏极电流为：