第六章 有源微波电路.ppt

第六章 有源微波电路 6.1引言 按我国工业界习惯，有源微波电路通常是指包含微波半导体管的电路。例如，微波低噪声放大器、功率放大器、微波混频器、上变频器、微波倍频器、微波振荡器、微波检波器、微波开关、微波限幅器等。此处需注意，国外书籍和文献中所说的有源电路(active circuit)仅指有高频能量增长的电路，如放大器、振荡器等，而混频器、检波器、开关、限幅器等均归入无源电路(passive circuit)类。 为了实现上述各种功能的微波电路，研制了多种性能各异的半导体器件以适应不同的技术特性要求。例如三极管有双极性晶体管(bipolar junction transistor，BJT)、场效应晶体管(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor，MESFET)、高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)、异质结晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor， HBT)、金属氧化物场效应管(double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，DMOSFET)，双栅场效应管(dual-gate field-effect transistor，DGFET)等； 二极管有用于混频器的肖特基势垒二极管，用于检波器的低势垒管和反向管，用于振荡器的体效应管和雪崩管，用于倍频的变容管和阶跃恢复管，用于开关或衰减器的PIN管等。 在众多的微波电路和半导体器件中，放大器、混频器和振荡器是基本部件，是各类电子系统中几乎均不可缺少的部件。因此在本书中，我们仅以放大器、混频器和振荡器作为主要的讲解对象，同时介绍这些电路中所用的半导体器件。为了能合理选择与正确使用各种半导体器件，本章还用适当篇幅介绍主要的微波半导体管的结构、特性和工作机理。只有对微波半导体管的性能有足够的了解，才便于正确设计与调测出优良的微波电路。 6.2 微波晶体管放大器 微波放大器按照用途分类可包括：低噪声放大器，用于接收设备的前端，通常噪声系数为0.3dB～1dB；功率放大器，用作发射机后缀，通常指功率为1瓦至几十瓦量级的放大器；宽频带放大器，通常指频带大于30%直至许多个倍频程。微波放大器的频率范围，一般是指1GHz以上，目前最高频率可做到40GHz左右。 6.2.1 微波晶体管 微波晶体管从结构与机理上可分为两大类，即双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。微波晶体管的材料主要有硅和砷化镓。双极型微波管BJT采用硅材料制成，适用于较低频段，f为0.1GHz～4GHz，价格便宜，可满足一般要求；异质结双极晶体管(HBT)，用不同材料构成的半导体结称为异质结，它具有很好的高频特性，工作频率范围f为2GHz～40GHz，其特点是相位噪声低、适用于微波振荡器。 近些年新出现的硅/锗异质结微波管Si/Ge HBT，由于采用Si工艺，因此成本低廉，但工作频率远高于BJT，f可望超过10GHz。场效应管中较低频段的是金属氧化物场效应管(MOSFET)，但是随着结构与工艺改进，横向扩散金属氧化物半导体场效应管 （Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran-sistor， LDMOSFET ）可达到GHz范围，功率可高达几百瓦，是很有前途的低微波频段大功率放大器件。微波频段最常用的仍是金属半导体场效应管(MESFET)，它用GaAs制成，工作频率范围f为2GHz～20GHz，用于小信号的一般放大器和功率放大器。高电子迁移率晶体管(HEMT)用GaAs和AlGaAs材料，它的特点是噪声低、频率高，工作频率f为2GHz～40GHz或更高阶段，常用作低噪声放大器，常用的几种微波晶体管性能、特点和用途的比较列于表6.1，表中所列为近似量级可供电路设计选择晶体管的参考。 表6.1 常用微波晶体管性能 1. 双极晶体管（BJT） 常用的NPN微波双极晶体管的工作原理与相应的低频双极晶体管相同，只是为提高工作频率在结构上有些改变。一种典型的NPN双极晶体管的平面梳状结构示意图如图6.1所示。图中，(a)是梳状结构的剖面图，(b)是符号，(c)是电极梳状结构平面图。为了简单起见，仅画出了一部分发射极和基极。下面利用图6.1(a)简单讲述工艺结构的制作过程：首先在N+型衬底上生长一层外延层构成N型集电极，在外延层上扩散形成P型基区，然后在基区平