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第1章摇 半导体器件基本方程 半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用一套基本方程来加以描述,这套 基本方程是分析一切半导体器件的基本数学工具。 半导体器件基本方程由三组方程所组成,即: 麦克斯韦方程组、输运方程组和连续性方程组。 本书假定读者在学习电磁场理论、半导体物理等 先修课程时已经掌握了这些内容,这里只是把它们归纳整理后再进行一个集中而简略的阐述,以 便为读者在后面章节中会遇到的大量数学公式提供一个基本出发点,同时这些内容也是读者在 今后自己面对半导体器件的分析时的基本出发点。 1郾1摇 半导体器件基本方程的形式 1郾 泊松方程[1] 麦克斯韦方程组包括6个方程,是描述电磁现象的普遍规律的基本方程。 由于本书不讨论 磁场的作用,所以只涉及其中的泊松方程和电位移方程。 泊松方程的原始形式为 驻·D =籽 (x,y,z) (1鄄1a) V 式(1鄄1a)中,D 代表电位移矢量;籽 (x,y,z)代表自由电荷的体密度。 V 在半导体中,籽 =q(p -n+N -N );静态或低频下,D =着 E,着 代表半导体的电容率,E 代 V D A s s 驻 表电场强度矢量,再考虑到 追= -E,可得到泊松方程在分析半导体器件时更常用的形式,即 q 驻 驻2 ·E = - 摇 追= (p -n+N -N ) (1鄄1b) D A 着 s 式(1鄄1b)中,追代表静电势,q代表一个电子所带电荷量的绝对值,p、n、N 、N 分别代表空穴、电 D A 子、施主杂质和受主杂质的浓度。 泊松方程表明,空间任意点的电位移(或电场强度)矢量的散度正比于该点的电荷密度。 其 物理意义是,电力线总是出发于正电荷而终止于等量的负电荷。 2郾 输运方程[2] 输运方程又称为电流密度方程,是电子电流密度矢量J 和空穴电流密度矢量J 的表达 n p 式,即 驻 J =q滋 nE +qD n (1鄄2) n n n 驻 J =q滋 pE -qD p (1鄄3) p p p 式(1鄄2)和式(1鄄3)中,D 、D 分别代表电子和空穴的扩散系数,滋 、滋 分别代表电子和空穴的迁 n p